[發明專利]圖像傳感器及其制作方法在審
| 申請號: | 201910184715.X | 申請日: | 2019-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN109935605A | 公開(公告)日: | 2019-06-25 |
| 發明(設計)人: | 岳歡;金利波;朱翀煜;樊華 | 申請(專利權)人: | 上海奕瑞光電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電二極管 圖像傳感器 底電極 金屬層 源極 柵極絕緣層 漏極 制作 圖形化金屬層 產品良率 第二表面 第一表面 工藝步驟 公共電極 相對設置 電連接 掩膜板 產品結構 | ||
1.一種圖像傳感器的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供襯底;
于所述襯底上形成柵極;
于所述襯底及柵極上形成柵極絕緣層;
在所述柵極絕緣層上形成IGZO有源層;
在所述柵極絕緣層及IGZO有源層上形成金屬層;
在所述金屬層上形成光電二極管;
圖形化所述金屬層,形成漏極、源極及光電二極管底電極,其中,所述光電二極管底電極與所述源極電連接,所述光電二極管底電極包括相對設置的與所述柵極絕緣層相接觸的第一表面及與所述光電二極管相接觸的第二表面。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器的制作方法,其特征在于:在所述金屬層上形成光電二極管后,還包括形成位于所述光電二極管上方的公共電極的步驟,所述公共電極的材料包括氧化銦錫。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器的制作方法,其特征在于:還包括形成鈍化層的步驟。
4.根據權利要求1所述的圖像傳感器的制作方法,其特征在于:還包括形成平坦層的步驟。
5.根據權利要求1所述的圖像傳感器的制作方法,其特征在于:還包括形成金屬元件的步驟,其中,所述金屬元件包括TFT元件的遮光元件、與公共電極電連接的公共電極走線及與所述漏極電連接的數據走線中的一種或組合。
6.根據權利要求1所述的圖像傳感器的制作方法,其特征在于:還包括形成保護層的步驟。
7.根據權利要求1所述的圖像傳感器的制作方法,其特征在于:所述柵極的材料包括鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鈮(Nb)中的一種或組合。
8.根據權利要求1所述的圖像傳感器的制作方法,其特征在于:所述柵極絕緣層包括氧化硅(SiOx)層、氮化硅(SiNx)層中的一種或組合。
9.一種圖像傳感器,其特征在于,所述圖像傳感器包括:
TFT元件,所述TFT元件包括柵極、柵極絕緣層、IGZO有源層、源極及漏極;
光電二極管底電極,所述光電二極管底電極與所述源極電連接,所述光電二極管底電極包括相對設置的與所述柵極絕緣層相接觸的第一表面及與光電二極管相接觸的第二表面。
10.根據權利要求9所述的圖像傳感器,其特征在于:所述圖像傳感器還包括位于所述光電二極管上方的公共電極,所述公共電極包括氧化銦錫公共電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





