[發明專利]一種比率型廣譜性光電免疫傳感器的制備方法

有效

• 申請號: 201910184008.0
• 申請日: 2019-03-12
• 公開（公告）號: CN110006973B
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 劉英菊;梁弘志;敖日其冷;謝玄;張悅
• 申請（專利權）人: 華南農業大學
• 主分類號: G01N27/327
• 分類號: G01N27/327;G01N27/30;G01N27/48;G01N33/543
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 胡輝

1.一種比率型廣譜性光電免疫傳感器的制備方法，包括以下步驟：

S1.制備CdS/MoS₂納米復合材料修飾的FTO：先在FTO導電玻璃上合成片狀MoS₂納米片，得到MoS₂納米片修飾的FTO，然后在MoS₂納米片上負載CdS納米顆粒，得到CdS/MoS₂納米復合材料修飾的FTO；

S2.制備負載二抗的ZnS-Ag₂S@Ab₂溶液：先合成ZnS-Ag₂S納米材料溶液，然后在ZnS-Ag₂S納米材料上的修飾二抗Ab₂，得到ZnS-Ag₂S@Ab₂溶液；

S3.構建傳感器：采用步驟S1所得的CdS/MoS₂納米復合材料修飾的FTO，依次結合抗原、封閉劑、抗體，最后結合步驟S2所得的ZnS-Ag₂S@Ab₂溶液，構建比率型廣譜性光電免疫傳感器。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S1所述在FTO導電玻璃上合成片狀MoS₂納米片的具體操作為：

將Na₂MoO₄·2H₂O和L-半胱氨酸加入到水和氨水的混合溶液中得混合溶液A；

將FTO與混合溶液A加入反應釜，水熱反應后，洗滌、干燥，得到MoS₂納米片修飾的FTO。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S1所述在MoS₂納米片上負載CdS納米顆粒的具體操作為：

將CdCl₂、NH₄Cl、硫脲、氨水加入到蒸餾水中加熱，得溶液B；

將MoS₂納米片修飾的FTO加入溶液B中反應，洗滌、干燥，得到CdS/MoS₂納米復合材料修飾的FTO。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S2所述制備負載二抗的ZnS-Ag₂S@Ab₂溶液的具體操作為：

將Zn(Ac)₂和L-半胱氨酸加入乙二醇和水的混合溶液中，水熱反應，離心洗滌，分散在甲醇溶液中，得ZnS的甲醇溶液；

將AgNO₃溶液滴加到ZnS的甲醇溶液中攪拌，離心洗滌后分散在水中，得到ZnS-Ag₂S納米材料溶液；在ZnS-Ag₂S納米材料溶液中加入巰基乙酸，室溫下攪拌，離心洗滌后，分散在1-(3-二甲氨基丙基)-3-乙基碳二亞胺鹽酸鹽/N-羥基丁二酰亞胺溶液中活化，得混合溶液C；

將混合溶液C再次離心洗滌后，分散在PBS溶液中，加入二抗Ab₂反應，制得溶解在PBS中的ZnS-Ag₂S@Ab₂溶液。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述乙二醇和水的混合溶液中乙二醇和水的比例為1:4。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S3的具體操作為：將CdS/MoS₂納米復合材料修飾的FTO在半胱氨酸鹽酸鹽溶液中浸泡，在電極表面上修飾羧基，洗滌后滴加1-(3-二甲氨基丙基)-3-乙基碳二亞胺鹽酸鹽/N-羥基丁二酰亞胺溶液活化羧基，再滴加抗原溶液孵化；經過PBS溶液沖洗、氮氣吹干后滴加封閉劑反應，然后滴加抗體溶液反應，洗滌吹干，最后滴加ZnS-Ag₂S@Ab₂溶液，洗滌吹干。

7.根據權利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述抗體為赭曲霉毒素抗體，可識別赭曲霉毒素A、赭曲霉毒素B和赭曲霉毒素C。