[發(fā)明專利]一種基于無(wú)時(shí)鐘電流舵DAC結(jié)構(gòu)的硅光電倍增管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910181488.5
• 申請(qǐng)日: 2019-03-11
• 公開（公告）號(hào): CN110044479B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉馬良;劉秉政;馬瑞;朱樟明;楊銀堂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): G01J1/44
• 分類號(hào): G01J1/44
• 代理公司: 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 張捷

1.一種基于無(wú)時(shí)鐘電流舵DAC結(jié)構(gòu)的硅光電倍增管，其特征在于，包括：信號(hào)輸出模塊和若干像素模塊，

所述像素模塊，用于生成差分電流信號(hào)；

所述信號(hào)輸出模塊，用于將所述若干像素模塊的差分電流信號(hào)轉(zhuǎn)化為差分電壓信號(hào)；

所述像素模塊的輸出端與信號(hào)輸出模塊的輸入端連接；

所述若干像素模塊在同一平面呈正方形排布；

所述像素模塊包括：雪崩二極管像素單元、淬滅電路和電流源電路，

所述雪崩二極管像素單元，用于產(chǎn)生雪崩電流脈沖；

所述淬滅電路，用于根據(jù)所述雪崩電流脈沖得到脈沖電壓信號(hào)；

所述電流源電路，用于根據(jù)所述脈沖電壓信號(hào)得到差分電流信號(hào)；

所述雪崩二極管像素單元的輸出端與淬滅電路的輸入端連接，淬滅電路的輸出端與電流源的輸入端連接，電流源的輸出端與信號(hào)輸出模塊連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于無(wú)時(shí)鐘電流舵DAC結(jié)構(gòu)的硅光電倍增管，其特征在于，還包括偏置電路模塊，

所述偏置電路模塊，用于為所述電流源電路提供偏置電壓；

所述偏置電路模塊的輸出端分別與若干像素模塊內(nèi)的所述電流源電路的偏置輸入端連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于無(wú)時(shí)鐘電流舵DAC結(jié)構(gòu)的硅光電倍增管，其特征在于，還包括電源模塊，所述電源模塊為所述像素模塊提供電源，所述電源模塊的電源輸出端與雪崩二極管像素單元的電源輸入端連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于無(wú)時(shí)鐘電流舵DAC結(jié)構(gòu)的硅光電倍增管，其特征在于，所述雪崩二極管像素單元包括單光子雪崩二極管。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于無(wú)時(shí)鐘電流舵DAC結(jié)構(gòu)的硅光電倍增管，其特征在于，所述電流源電路包括傳輸門單元TG1、反相器I1、反相器I2、反相器I3、PMOS管M1、PMOS管M2、MOS管M3和PMOS管M4；

所述PMOS管M1的源極與所述電源模塊連接，所述PMOS管M1的柵極與所述偏置電路模塊的Vb1輸出端連接，所述PMOS管M1的漏極與所述PMOS管M2的源極相連接；所述PMOS管M2的柵極與所述偏置電路模塊的Vb2輸出端連接，所述PMOS管M2的漏極分別與所述PMOS管M3的源極和所述PMOS管M4的源極連接；所述反相器I1的輸入端與所述淬滅電路的輸出端連接，所述I1的輸出端與所述反相器I2的輸入端連接；所述I2的輸出端與PMOS管M3的柵極連接；所述I3的輸出端與所述PMOS管M3的柵極連接；所述傳輸門單元TG1的輸出端與所述反相器I3的輸入端連接，所述I3的輸出端與所述PMOS管M4的柵極連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于無(wú)時(shí)鐘電流舵DAC結(jié)構(gòu)的硅光電倍增管，其特征在于，所述信號(hào)輸出模塊為差分信號(hào)輸出電路，若干所述電流源電路的PMOS管M3、PMOS管M4分別并聯(lián)，并分別與所述差分信號(hào)輸出電路的兩個(gè)輸入端連接。