[發(fā)明專利]超寬帶脈沖信號發(fā)射裝置及超寬帶脈沖雷達系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910181487.0
• 申請日: 2019-03-11
• 公開（公告）號: CN110045372B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設計）人: 劉馬良;肖金海;高吉;朱樟明;楊銀堂
• 申請（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: G01S13/89
• 分類號: G01S13/89;G01S7/282
• 代理公司: 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 張捷

1.一種超寬帶脈沖信號發(fā)射裝置，其特征在于，包括：

脈沖信號產(chǎn)生模塊(1)，用于產(chǎn)生具有一定單脈沖數(shù)目的超寬帶脈沖信號；

驅(qū)動模塊(2)，用于對所述超寬帶脈沖信號進行信號放大；

功率放大模塊(3)，用于對經(jīng)信號放大的所述超寬帶脈沖信號進行功率放大，以產(chǎn)生發(fā)射信號；

開關(guān)控制模塊(4)，用于控制所述驅(qū)動模塊(2)和所述功率放大模塊(3)在預設時段內(nèi)關(guān)斷，

所述脈沖信號產(chǎn)生模塊(1)包括延時鏈子模塊(11)、單脈沖產(chǎn)生子模塊(12)和脈沖組合子模塊(13)，其中，

所述延時鏈子模塊(11)包括依次連接的N個延時單元(111)，用于產(chǎn)生N個延時信號；

所述單脈沖產(chǎn)生子模塊(12)包括與所述N個延時單元(111)一一對應連接的N個單脈沖產(chǎn)生單元(121)，用于根據(jù)所述N個延時信號產(chǎn)生N個單脈沖信號；

所述脈沖組合子模塊(13)分別連接所述N個脈沖產(chǎn)生單元(121)的輸出端，用于對所述N個單脈沖信號進行拼接，以形成所述超寬帶脈沖信號，

所述延時單元(111)包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3和第四反向器INV4，其中，

所述第一PMOS管MP1的源極連接電源端VDD，所述第一PMOS管MP1的柵極作為所述延時單元(111)的第一輸入端以輸入觸發(fā)信號，所述第一PMOS管MP1的漏極連接所述第一反相器INV1的輸入端；所述第一NMOS管MN1的源極連接所述第一反相器INV1的輸入端，所述第一NMOS管MN1的漏極連接所述第二NMOS管MN2的源極；所述第一NMOS管MN1的柵極作為所述延時單元(111)的第二輸入端以輸入電壓控制信號V_C；所述第二NMOS管MN2的柵極連接所述第一PMOS管MP1的柵極，所述第二NMOS管MN2的漏極連接接地端GND；

所述第一反相器INV1、所述第二反相器INV2和所述第三反相器INV3依次串聯(lián)在所述第一NMOS管MN1的源極與所述延時單元(111)的第一輸出端之間；所述第二PMOS管MP2的柵極連接接地端GND，所述第二PMOS管MP2的源極連接所述第一反相器INV1的輸出端，所述第二PMOS管MP2的漏極連接所述第四反向器INV4的輸入端；所述第三NMOS管MN3的柵極連接電源端GND，所述第三NMOS管MN3的源極連接所述第四反向器INV4的輸入端，所述第三NMOS管MN3的漏極連接所述第一反相器INV1的輸出端，所述第四反向器INV4的輸出端作為所述延時單元(111)的第二輸出端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超寬帶脈沖信號發(fā)射裝置，其特征在于，還包括譯碼器模塊(5)，連接所述脈沖信號產(chǎn)生模塊(1)，用于確定形成所述超寬帶脈沖信號的單脈沖數(shù)目。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超寬帶脈沖信號發(fā)射裝置，其特征在于，還包括信號發(fā)射模塊(6)，用于發(fā)射所述發(fā)射信號。