[發明專利]集成電路接觸孔電阻測量方法

在審

• 申請號: 201910179792.6
• 申請日: 2019-03-11
• 公開（公告）號: CN109979841A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 張雨田
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01R27/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種集成電路接觸孔電阻測量方法，其特征在于：包含如下的步驟：

第一步，在芯片表面找到目標接觸孔后，在目標接觸孔周圍刻蝕出一圈溝槽；

第二步，在所刻蝕形成的一圈溝槽中填充導電材料；

第三步，測量目標接觸孔與溝槽之間的正反向導通電阻。

2.如權利要求1所述的集成電路接觸孔電阻測量方法，其特征在于：所述的第一步中，使用聚焦離子束顯微鏡刻蝕溝槽。

3.如權利要求1所述的集成電路接觸孔電阻測量方法，其特征在于：所述的第一步中，刻蝕的一圈溝槽為封閉的矩形，或者是開放的矩形。

4.如權利要求3所述的集成電路接觸孔電阻測量方法，其特征在于：所述的第一步中，刻蝕的溝槽的深度深入到硅襯底以下至少2微米。

5.如權利要求1所述的集成電路接觸孔電阻測量方法，其特征在于：所述的第一步中，所述的溝槽僅將目標接觸孔以及另一參考接觸孔包圍在溝槽圍起來的中心位置。

6.如權利要求1所述的集成電路接觸孔電阻測量方法，其特征在于：所述第二步中，導電材料為金屬。

7.如權利要求6所述的集成電路接觸孔電阻測量方法，其特征在于：所述的金屬為鉑或者鎢。

8.如權利要求1所述的集成電路接觸孔電阻測量方法，其特征在于：所述第三步中，使用納米探針測量接觸孔與溝槽之間的電阻。

9.如權利要求1所述的集成電路接觸孔電阻測量方法，其特征在于：所述的接觸孔為實現金屬之間互聯，或者是將半導體襯底中器件進行電性引出的接觸孔；所述的接觸孔內填充金屬。