[發(fā)明專利]一種平面顯示器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910178621.1 | 申請日： | 2019-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN109870862A | 公開（公告）日： | 2019-06-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 譚永勝;李秀東 | 申請（專利權(quán)）人： | 紹興文理學(xué)院 |
| 主分類號： | G02F1/1523 | 分類號： | G02F1/1523;G02F1/153;G02F1/155;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 紹興市寅越專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33285 | 代理人： | 周正輝 |
| 地址： | 312000 *** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電致變色器件 透明介質(zhì) 平面顯示器件 透明導(dǎo)電薄膜 納米金屬 沉積 金屬納米顆粒 上金屬電極 下金屬電極 源矩陣 襯底 透明 能耗 | ||
1.一種平面顯示器件，包括透明襯底，其特征是：所述透明襯底上設(shè)有由三個電致變色器件為一組的電致變色器件陣列，所述電致變色器件上設(shè)有有源矩陣控制陣列，所述電致變色器件包括透明導(dǎo)電薄膜，所述透明導(dǎo)電薄膜上沉積有一層下透明介質(zhì)，所述下透明介質(zhì)上沉積有一層納米金屬陣列，所述納米金屬陣列上沉積有一層上透明介質(zhì)，所述上透明介質(zhì)和透明導(dǎo)電薄膜上分別設(shè)有上金屬電極和下金屬電極，所述上金屬電極和下金屬電極與有源矩陣控制陣列上的控制單元連接，單個所述電致變色器件中的金屬納米顆粒大小相同且同組三個所述電致變色器件中的納米金屬陣列的金屬納米顆粒大小均不相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面顯示器件，其特征是：所述上透明介質(zhì)的厚度大于下透明介質(zhì)的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面顯示器件，其特征是：所述納米金屬陣列的面積占該層總面積的30％-70％之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面顯示器件，其特征是：所述金屬納米陣列中的金屬納米顆粒直徑大小在10nm-100nm之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面顯示器件，其特征是：所述上金屬電極由白色金屬制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種平面顯示器件，其特征是：所述白色金屬為鋁或銀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面顯示器件，其特征是：所述透明襯底由透明固態(tài)材料制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種平面顯示器件，其特征是：所述透明固態(tài)材料為普通玻璃、石英玻璃或有機玻璃。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面顯示器件，其特征是：所述透明導(dǎo)電薄膜采用錫摻雜氧化銦或鋁摻雜氧化鋅制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面顯示器件，其特征是：所述電致變色器件中的金屬納米顆粒為圓柱形。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于紹興文理學(xué)院，未經(jīng)紹興文理學(xué)院許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910178621.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
