[發明專利]包括相位檢測像素的圖像傳感器和圖像拾取裝置在審
| 申請號: | 201910178059.2 | 申請日: | 2019-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN110246853A | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發明(設計)人: | 王泰植;金采盛;樸晟鎮;任俊赫 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/225 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 趙南;張青 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 相位檢測 像素 像素組 圖像傳感器 圖像拾取裝置 相鄰布置 靈敏度 微透鏡 圖像數據 像素陣列 圖像像 申請 | ||
1.一種圖像傳感器,包括:
像素陣列,其中所述像素陣列包括第一像素組和第二像素組,所述第一像素組和所述第二像素組各自包括多個圖像像素以產生圖像數據,其中:
所述第一像素組包括第一相位檢測像素對,所述第一相位檢測像素對包括在第一方向上彼此相鄰布置的第一相位檢測像素并且在所述第一相位檢測像素對上具有至少一個第一微透鏡;并且
第二像素組包括第二相位檢測像素對,所述第二相位檢測像素對包括在與所述第一方向不同的第二方向上彼此相鄰布置的第二相位檢測像素并且在所述第二相位檢測像素對上具有至少一個第二微透鏡,
其中,所述第一相位檢測像素的第一靈敏度與所述第二相位檢測像素的第二靈敏度不同。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述第一方向和所述第二方向彼此正交,其中所述至少一個第一微透鏡包括位于所述第一相位檢測像素上的第一單個微透鏡,并且其中所述至少一個第二微透鏡包括位于所述第二相位檢測像素上的第二單個微透鏡。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述圖像像素中的每一個包括位于其上的對應的微透鏡。
4.根據權利要求3所述的圖像傳感器,其中,所述第一相位檢測像素包括濾色器,并且所述第二相位檢測像素不包括濾色器。
5.根據權利要求3所述的圖像傳感器,其中,所述第一相位檢測像素包括第一濾色器以傳輸對應于第一顏色的光,并且所述第二相位檢測像素包括第二濾色器以傳輸與不同于所述第一顏色的第二顏色對應的光。
6.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述第二像素組布置為在所述第二方向上與所述第一像素組相鄰,并且所述第一方向是水平方向,所述第二方向是豎直方向。
7.根據權利要求6所述的圖像傳感器,其中,所述像素陣列還包括在水平方向上與所述第一像素組相鄰布置的第三像素組,并且所述第三像素組包括第三相位檢測像素對,所述第三相位檢測像素對包括在豎直方向上彼此相鄰布置的第三相位檢測像素。
8.根據權利要求7所述的圖像傳感器,其中,所述第三相位檢測像素的第三靈敏度與所述第二相位檢測像素的所述第二靈敏度相同。
9.根據權利要求7所述的圖像傳感器,其中,所述第三相位檢測像素的第三靈敏度與所述第一相位檢測像素的所述第一靈敏度相同。
10.根據權利要求1所述的圖像傳感器,還包括時序控制器,所述時序控制器被構造為不同地控制所述第一相位檢測像素的曝光時間和所述第二相位檢測像素的曝光時間,以產生用于計算各個圖像之間的相位差的相位信息。
11.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述第一相位檢測像素各自被對應的第一微透鏡單獨地覆蓋,并且所述第二相位檢測像素各自被對應的第二微透鏡單獨地覆蓋。
12.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述第一相位檢測像素包括具有第一長度的第一阻光層,并且所述第二相位檢測像素包括具有與所述第一長度不同的第二長度的第二阻光層。
13.一種圖像傳感器,包括:
像素陣列,其包括多個共享像素,其中所述多個共享像素包括:
第一共享相位檢測像素,其包括在第一方向上彼此相鄰布置的第一相位檢測子像素;以及
第二共享相位檢測像素,其包括在與所述第一方向不同的第二方向上彼此相鄰布置的第二相位檢測子像素,
其中,所述第一相位檢測子像素的第一靈敏度與所述第二相位檢測子像素的第二靈敏度不同。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星電子株式會社,未經三星電子株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910178059.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:3D圖像傳感器
- 下一篇:光檢測裝置和電子設備
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





