[發(fā)明專利]InGaN基LED外延片及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910177234.6
• 申請日: 2019-03-08
• 公開（公告）號(hào): CN111668354B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 理查德·內(nèi)策爾;周國富
• 申請（專利權(quán)）人: 華南師范大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L33/32
• 分類號(hào): H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 王暉;李丙林

1.一種InGaN基LED外延片，其特征在于包括：

襯底；

InGaN層片，形成于所述襯底的一側(cè)表面，其In含量在40％至90％之間，以確保所述LED外延片能夠發(fā)射長波長光或近紅外射線；

p型金屬氧化物層片，形成于所述InGaN層片的背朝所述襯底的一側(cè)表面上，以用作對所述InGaN層片的空穴注入層，其中所述p型金屬氧化物層片為Cu₂O層片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InGaN基LED外延片，其特征在于所述InGaN層片為具有單一In含量的均勻?qū)悠蚓哂胁煌琁n含量的異質(zhì)結(jié)構(gòu)層片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InGaN基LED外延片，其特征在于所述襯底的材料為藍(lán)寶石、Si、SiC和GaN其中之一。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InGaN基LED外延片，其特征在于p型金屬氧化物選擇為，使其帶隙跨越InGaN層片的帶隙，以保證所述p型金屬氧化物層片的空穴注入效率。

5.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的InGaN基LED外延片的制備方法，其特征在于包括：

提供襯底；

在所述襯底的一側(cè)表面外延生長InGaN層片；

在所述InGaN層片的背朝所述襯底的一側(cè)表面上沉積形成所述p型金屬氧化物層片。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于

沉積形成所述p型金屬氧化物層片的方式選自：

熱生長、濺鍍和電沉積中的其中一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于

所述p型金屬氧化物層片為Cu₂O層片；并且

使用電沉積的方式沉積形成所述p型金屬氧化物層片。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于

使用InGaN工作電極，Ag/AgCl參比電極和Pt對電極在三電極電化學(xué)電池中進(jìn)行電沉積；其中

所述InGaN工作電極處進(jìn)行如下的電解反應(yīng)，以形成Cu₂O層片：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于

所述電解反應(yīng)的電解質(zhì)為Cu₂SO4水溶液。