[發(fā)明專利]一種半導體芯片的封裝方法及其封裝過程中的兩種結構在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910176965.9 | 申請日: | 2019-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN111668109A | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周輝星 | 申請(專利權)人: | 矽磐微電子(重慶)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/683;H01L23/31;H01L25/16 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
| 地址: | 401331 重*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 芯片 封裝 方法 及其 過程 中的 結構 | ||
1.一種半導體芯片的封裝方法,包括:
在已制作好半導體芯片的晶圓正面形成第一預設厚度的保護層;
將形成有保護層的晶圓進行半導體芯片劃分;
將劃分好的半導體芯片具有保護層的一面貼裝在一第一載板上;
在所述第一載板上以及所述第一載板上半導體芯片的背面形成第一包封層;
去除所述第一載板,露出半導體芯片的正面上的保護層;
去除第二預設厚度的半導體芯片的保護層,形成目標厚度的半導體芯片保護層。
2.如權利要求1所述的半導體芯片的封裝方法,其特征在于,還包括:在所述保護層上形成開孔,以使半導體芯片正面的焊墊通過所述開孔引出。
3.如權利要求2所述的半導體芯片的封裝方法,其特征在于,還包括:對晶圓的背面進行研磨減薄的步驟。
4.如權利要求3所述的半導體芯片的封裝方法,其特征在于,形成所述第一預設厚度的保護層步驟在所述晶圓背面研磨減薄步驟之前。
5.如權利要求2所述的半導體芯片的封裝方法,其特征在于,所述保護層上形成開孔為在所述第一預設厚度的保護層上形成開孔。
6.如權利要求2所述的半導體芯片的封裝方法,其特征在于,所述保護層上形成開孔為在所述目標厚度的保護層上形成開孔。
7.如權利要求1~6任一所述的半導體芯片的封裝方法,其特征在于,還包括:在所述第一載板的表面形成粘附層,以使所述半導體芯片具有保護層的一面貼裝于所述粘附層。
8.如權利要求7所述的半導體芯片的封裝方法,其特征在于,所述半導體芯片的正面具有一第一對位標記,所述第一載板上具有一第二對位標記,以便將所述半導體芯片貼裝在所述第一載板上的預設位置。
9.如權利要求8所述的半導體芯片的封裝方法,其特征在于,所述半導體芯片的正面的所述第一對位標記位置對應的所述保護層設有孔洞,以露出所述第一對位標記。
10.如權利要求8所述的半導體芯片的封裝方法,其特征在于,所述保護層在將所述半導體芯片的正面以所述第一對位標記與所述第一載板上的第二對位標記進行對準貼裝時呈現透明。
11.如權利要求1所述的半導體芯片的封裝方法,其特征在于,還包括提供一支撐板,在去除所述第一載板露出具有半導體芯片上的保護層之前將所述支撐板貼裝于所述第一包封層表面。
12.如權利要求11所述的半導體芯片的封裝方法,其特征在于,采用研磨方法去除第二預設厚度的半導體芯片的保護層。
13.如權利要求12所述的半導體芯片的封裝方法,其特征在于,所述第二預設厚度約為10um。
14.如權利要求1所述的半導體芯片的封裝方法,其特征在于,還包括在形成所述第一包封層之前,至少在貼裝好所述半導體芯片后露出的第一載板表面形成密封層。
15.一種半導體芯片的封裝過程中的兩種結構,包括:
第一結構,所述第一結構包括:
第一載板,若干置于所述第一載板上的半導體芯片和覆蓋在所述第一載板和所述半導體芯片背面的第一包封層;所述第一載板和所述半導體正面之間具有一第一預設厚度的保護層;
第二結構,所述第二結構包括:
若干半導體芯片,第一支撐板和包裹著若干半導體芯片背面的第一包封層;所述第一包封層遠離半導體芯片正面的表面與所述第一支撐板貼合,所述第一包封層的另一表面曝露出所述半導體芯片的正面;所述半導體芯片正面具有目標厚度的保護層;
所述目標厚度的保護層小于所述第一預設厚度的保護層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





