[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201910176136.0 | 申請日: | 2019-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN109920824B | 公開(公告)日: | 2022-03-08 |
| 發明(設計)人: | 許文曲;任珂銳 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 柴雙;宋洋 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
一基底;
一輔助電極,形成于該基底上,且全面地重疊于一主動區且部分該輔助電極自該主動區延伸至一外圍區,該外圍區位于該主動區的外側;
一緩沖層,形成于該輔助電極上;
多個主動元件,位于該緩沖層上,且位于該主動區中;以及
多個發光元件,分別電性連接多個所述主動元件,其中每個所述發光元件包括一第一電極、一第二電極以及位于該第一電極與該第二電極之間的一發光層,其中每個所述第二電極電性連接該輔助電極,其中所述輔助電極與對應的主動元件的一通道層CH1和一通道層CH2于所述基底的垂直投影方向完全重疊,其中該第二電極具有電阻RE2,該輔助電極具有電阻R110,電阻RE2以及電阻R110并聯后所得的電阻小于單獨的電阻R110或電阻RE2,其中電阻R110小于電阻RE2,其中該主動區電性連接電壓信號Vdd以及電壓信號Vss,電壓信號Vdd電性連接至共用線,而共用線具有電阻RCL,該共用線電性連接該主動區與該電壓信號Vdd之間,該電壓信號Vss電性連接該電阻R110與電阻RE2之間,而該電阻R110與電阻RE2電性連接該主動區與該電壓信號Vss之間。
2.如權利要求1所述的顯示裝置,還包括一芯片,其中該輔助電極與多個所述第二電極電性連接至該芯片。
3.如權利要求1所述的顯示裝置,其中多個所述第二電極通過貫穿該緩沖層的多個通孔而電性連接該輔助電極。
4.如權利要求3所述的顯示裝置,其中多個所述通孔位于該主動區的一第一側以及相對于該第一側的一第二側。
5.如權利要求4所述的顯示裝置,還包括一柵極驅動電路,位于該主動區的一第三側以及相對于該第三側的一第四側。
6.如權利要求4所述的顯示裝置,其中多個所述通孔還位于該主動區的一第三側以及相對于該第三側的一第四側。
7.如權利要求1所述的顯示裝置,還包括:
一柵極絕緣層,位于該緩沖層上;
一第一絕緣層,位于該柵極絕緣層上;
一第二絕緣層,位于該第一絕緣層上,且覆蓋多個所述主動元件;以及
一像素定義層,位于該第二絕緣層上。
8.如權利要求1所述的顯示裝置,其中該輔助電極的材料包括鈦、鋁、鉬、銅、金或上述材料的組合。
9.如權利要求1所述的顯示裝置,其中該輔助電極的厚度為100納米至500納米。
10.如權利要求1所述的顯示裝置,其中多個所述第二電極的材料包括銀、鋁、鋰、鎂、鈣、銦、金、銦錫氧化物或上述材料的組合。
11.如權利要求1所述的顯示裝置,其中多個所述第二電極的厚度為1納米至50納米。
12.如權利要求1所述的顯示裝置,其中該緩沖層包括:
一第一子層,形成于該輔助電極上,其中該第一子層的材料包括氧化硅或氮化硅,且該第一子層的厚度為50納米至500納米;以及
一第二子層,形成于該第一子層上,其中該第二子層的材料包括氧化硅或氮化硅,且該第二子層的厚度為50納米至500納米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





