[發(fā)明專利]一種疏水親油材料的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910174803.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-03-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109881143B | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廖斌;歐陽曉平;羅軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京師范大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C8/12 | 分類號(hào): | C23C8/12;C23C14/00;C23C14/08;C23C14/32;C23C14/48;C23C28/04;B82Y40/00 |
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| 地址: | 100875 北*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 疏水 材料 制備 方法 | ||
1.一種疏水親油材料的制備工藝,其特征在于,包括以下步驟:
1S:對(duì)多孔銅網(wǎng)進(jìn)行超聲波清洗,其中銅網(wǎng)的目數(shù)為600-1200目;
2S:利用真空設(shè)備高溫氧化制備氧化銅納米線,其中真空設(shè)備高溫氧化時(shí)溫度為400-750℃,真空室內(nèi)氣體為氧氣和惰性氣體,壓強(qiáng)為0.1-1000Pa,氧氣與惰性氣體分壓比為0.5-10;
3S:利用金屬離子源對(duì)納米線進(jìn)行離子注入改性,其中金屬離子源注入能量0-4KeV,離子束流0.1mA,脈寬為20-200μs;
4S:利用磁過濾沉積技術(shù)對(duì)納米線進(jìn)行包裹,沉積時(shí)施加高功率脈沖偏壓復(fù)合直流偏壓,高功率脈沖偏壓的電壓為1~15kV,脈沖寬度為1~5μs,脈沖頻率為1~200Hz,占空比1/10000~1/5000,峰值功率為1~5MW;直流偏壓的電壓為1~1000V,占空比1~80%。
2.如權(quán)利要求1所述一種疏水親油材料的制備工藝,其特征在于,所述多孔銅網(wǎng)厚度0-2mm。
3.如權(quán)利要求1所述一種疏水親油材料的制備工藝,其特征在于,所述步驟2S中制備氧化銅納米線的長(zhǎng)度30-100μm,密度為10-50/μm2。
4.如權(quán)利要求1所述一種疏水親油材料的制備工藝,其特征在于,所述步驟3S注入金屬為Ag,Ni,Co,劑量為1×1015-1×1016/cm2。
5.如權(quán)利要求1所述一種疏水親油材料的制備工藝,其特征在于,所述步驟4S中進(jìn)行磁過濾沉積時(shí),沉積膜層為金屬或金屬氧化物。
6.如權(quán)利要求1所述一種疏水親油材料的制備工藝,其特征在于,所述步驟4S中進(jìn)行磁過濾沉積時(shí),金屬為Ti,Zn,Al,設(shè)置起弧電流為50~100A,氧氣流量為0-100sccm,真空度2×10-3-2×10-1Pa,沉積時(shí)間1~20min。
7.如權(quán)利要求1所述一種疏水親油材料的制備工藝,其特征在于,對(duì)所述磁過濾彎管施加脈沖式正偏壓,所述脈沖式正偏壓頻率為20~100Hz,電壓為10~30V。
8.如權(quán)利要求1所述一種疏水親油材料的制備工藝,其特征在于,所制備的材料親水角在100-152°,親油角小于10°。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C8-00 金屬材料表面中僅滲入非金屬元素的固滲
C23C8-02 .被覆材料的預(yù)處理
C23C8-04 .局部表面的處理,例如使用掩蔽物的
C23C8-06 .使用氣體的
C23C8-40 .使用液體,例如鹽浴、懸浮液的
C23C8-60 .使用固體,例如粉末、膏劑的
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