[發明專利]一種帶能量回饋的且效率極高的超導磁體開關電源在審
| 申請號: | 201910174764.5 | 申請日: | 2019-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN109818506A | 公開(公告)日: | 2019-05-28 |
| 發明(設計)人: | 徐煙紅;劉小寧;黃瑞;王燦;費偉 | 申請(專利權)人: | 中國科學院合肥物質科學研究院 |
| 主分類號: | H02M3/335 | 分類號: | H02M3/335 |
| 代理公司: | 南京中高專利代理有限公司 32333 | 代理人: | 祝進 |
| 地址: | 230031*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超導磁體 高頻變壓器 開關電源 能量回饋 電容 放電 高壓側母線 開關管 逆變橋 充電 低壓側母線 低壓大電流 工頻變壓器 軟開關控制 充電回路 放電回路 濾波電感 濾波電容 雙向流動 拓撲結構 整流單元 二極管 充放電 整流管 儲能 隔離 電網 | ||
1.一種帶能量回饋的且效率極高的超導磁體開關電源,其特征在于,包括磁體儲能及斬波單元(1)、充電用逆變橋單元(2)、放電用逆變橋單元(3)與放電用整流單元(4);
磁體儲能及斬波單元(1)由高頻變壓器(T1)、第一開關管(Q1)、第二開關管(Q2)、第一二極管(D17)、超導磁體線圈(Lcoil)、濾波電容(Cf)、濾波電感(Lf)、開關管(Qinv)和第二二極管(Dinv)組成,充電用高頻變壓器(T1)上端輸出口和下端輸出口分別連接第一開關管(Q1)反并列二極管的正極和第二開關管(Q2)反并聯二極管的正極,濾波電容(Cf)的一端與超導磁體線圈(Lcoil)的一端均與充電用高頻變壓器(T1)的中間輸出口相連,第一開關管(Q1)和第二開關管(Q2)的負極均與開關管(Qinv)反并聯第二二極管(Dinv)的負極及二極管(D17)的陽極相連,開關管(Qinv)反并聯第二二極管(Dinv)的陽極與低壓側第一直流母線電容Cbus1負極及濾波電感(Lf)的一端相連,濾波電感(Lf)的另一端與濾波電容(Cf)一端及超導磁體線圈(Lcoil)的一端相連,第一二極管(D17)的負極與低壓側第一直流母線電容Cbus1正極連接;
充電用逆變橋單元(2)的直流側正極連接高壓側第二直流母線電容Cbus的正極,充電用逆變橋單元(2)直流側負極連接高壓側第二直流母線電容Cbus的負極,充電用逆變橋單元(2)交流側輸出端連接充電用高頻變壓器(T1)原邊;
放電用逆變橋單元(3)直流側正極輸入端與低壓側第一直流母線電容Cbus1正極相連,放電用逆變橋單元(3)直流側負極輸入端與低壓側流母線電容Cbus1負極相連,放電用逆變橋單元(3)交流輸出端與放電用高頻變壓器T2原邊相連;
放電用高頻變壓器T2高壓側連接放電用整流單元(4)的交流側,放電用整流單元(4)的直流側正極與高壓側第二直流母線電容Cbus的正極相連,放電用整流單元(4)的直流側負極與高壓側第二直流母線電容Cbus的負極相連。
2.根據權利要求1所述的一種帶能量回饋的且效率極高的超導磁體開關電源,其特征在于:所述充電用逆變橋單元(2)和放電用逆變橋單元(3)中的橋式電路均選用全控型器件,且其控制均采用軟開關控制。
3.根據權利要求1所述的一種帶能量回饋的且效率極高的超導磁體開關電源,其特征在于:開關電源作為充電電源向超導磁體Lcoil輸入能量時,開關管(Qinv)一直保持導通狀態,充電用逆變橋單元(2)將高壓側第二直流母線電容Cbus的直流電轉換成高頻的交流電,經充電用高頻變壓器T1與第一開關管(Q1)、第二開關管(Q2)整流和濾波器(Lf)、濾波電容(Cf)濾波后變成恒壓直流電給磁體充電,通過控制充電用逆變橋單元(2)中全控型器件的通斷占空比控制超導磁體的充電速度。
4.根據權利要求1所述的一種帶能量回饋的且效率極高的超導磁體開關電源,其特征在于:開關電源實現超導磁體(Lcoil)的儲能回饋到電網時,第一開關管(Q1)、第二開關管(Q2)一直導通,關斷開關管(Qinv)時,超導儲能磁體(Lcoil)電流流過第一開關管(Q1)、第二開關管(Q2)、二極管(D17)后,經低壓側流母線電容Cbus1的濾波得到一個恒壓直流輸出,再經放電用逆變橋單元(3)、放電用高頻變壓器T2、放電用整流單元(4)輸送到高壓第二直流母線電容Cbus,開通開關管(Qinv)時,超導儲能磁體(Lcoil)電流經第一開關管(Q1)、第二開關管(Q2)、開關管(Qinv)續流,通過控制開關管(Qinv)通斷占空比控制超導磁體的放電速度。
5.根據權利要求1所述的一種帶能量回饋的且效率極高的超導磁體開關電源,其特征在于:所述的磁體儲能及斬波單元(1)中的開關管(Qinv)管為全控型器件。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院合肥物質科學研究院,未經中國科學院合肥物質科學研究院許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910174764.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





