[發明專利]一種SiC改性的多孔高鋁陶瓷材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201910174037.9
• 申請日: 2019-03-08
• 公開（公告）號: CN109776078B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 石棋;范羽宣;武敬君;林銘
• 申請（專利權）人: 景德鎮陶瓷大學
• 主分類號: C04B35/10
• 分類號: C04B35/10;C04B38/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種SiC改性的多孔高鋁陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料坯體原料組成的質量百分比為：氧化鋁粉95～99wt％、石英0.5～2.5wt%、碳酸鈣0.34～3.93wt%，外加包裹碳化硅0.34～1.0wt%；

所述包裹碳化硅的包裹材料為硫酸鋁；

所述包裹碳化硅的制備步驟為：將濃度為4～8wt％的硫酸鋁水溶液1000ml，加入顆粒細度為300～600目的碳化硅粉200g，再強烈攪拌溶液的同時逐漸滴入稀氨水至溶液的pH=7.5，經過濾晾干后，用球磨機干法粉碎至顆粒細度為300～600目。

2.根據權利要求1所述的多孔高鋁陶瓷材料，其特征在于，所述氧化鋁粉的粒徑為0.7um，包裹碳化硅的顆粒細度為300～600目。

3.根據權利要求1所述多孔高鋁陶瓷材料的制備方法，其特征在于，所述陶瓷材料坯體經配料、混均、成型、干燥、燒制獲得制品。

4.根據權利要求3所述的多孔高鋁陶瓷材料的制備方法，其特征在于，所述制品內均勻分布有平均孔徑為3.9～5.5um的閉氣孔，制品抗折強度為265～336MPa，收縮率為9～14%，吸水率為0.01～0.03%，膨脹系數為6.2×10^-6～6.7×10^-6/K。

5.根據權利要求3所述的多孔高鋁陶瓷材料的制備方法，其特征在于，所述成型工序采用壓制成型或注漿成型。

6.根據權利要求3所述的多孔高鋁陶瓷材料的制備方法，其特征在于，所述燒制工序中采用氧化氣氛，其燒成制度為：其中燒成周期為25小時，從室溫升溫12小時至最高燒成溫度1710℃，高溫保溫1小時，降溫12小時至280℃。

7.根據權利要求3所述的多孔高鋁陶瓷材料的制備方法，其特征在于，所述燒制工序中采用先還原氣氛后氧化氣氛的工藝，其燒成制度為：其中燒成周期為25小時，從室溫用還原氣氛升溫9.5小時至1320℃，然后轉氧化氣氛升溫1.5～2.5h到最高燒成溫度1710℃，高溫保溫1小時，降溫12小時至280℃。

8.根據權利要求5所述的多孔高鋁陶瓷材料的制備方法，其特征在于，所述壓制成型的壓力為20MPa；所述注漿成型用剛玉球磨子和聚氨酯內襯的球磨罐，球磨時加入40wt%水、0.5wt%阿拉伯樹膠、0.4wt%聚丙烯酸鈉。