[發(fā)明專利]像素驅(qū)動電路及顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910173068.2 | 申請日： | 2019-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN109801595A | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蔡玉瑩 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G09G3/3225 | 分類號： | G09G3/3225 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黃威 |
| 地址： | 518132 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 像素驅(qū)動電路 顯示面板 驅(qū)動晶體管 補償結(jié)構(gòu) 有效補償 閾值電壓 像素 占用 申請 | ||
本申請實施例提供的像素驅(qū)動電路及顯示面板，采用3T2C結(jié)構(gòu)的像素驅(qū)動電路對每一像素中的驅(qū)動晶體管的閾值電壓進(jìn)行有效補償，該像素驅(qū)動電路的補償結(jié)構(gòu)較為簡單，從而在設(shè)計時并不需要占用大量面積。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種像素驅(qū)動電路及顯示面板。
背景技術(shù)
OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發(fā)光二極管)顯示面板具有高亮度、寬視角、響應(yīng)速度快、低功耗等優(yōu)點，目前已被廣泛地應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域中。其中，在OLED顯示器面板中，像素被設(shè)置成包括多行、多列的矩陣狀，每一像素通常采用由兩個晶體管與一個電容構(gòu)成，俗稱2T1C電路，但晶體管存在閾值電壓漂移的問題，因此，OLED像素驅(qū)動電路需要相應(yīng)的補償結(jié)構(gòu)。目前，OLED像素驅(qū)動電路的補償結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，在設(shè)計布局時占用大量面積，不利于高PPI(Pixels Per Inch，像素密度)顯示面板的設(shè)計。
發(fā)明內(nèi)容
本申請實施例的目的在于提供一種像素驅(qū)動電路及顯示面板，能夠解決現(xiàn)有的像素驅(qū)動電路的補償結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，在設(shè)計布局時占用大量面積的技術(shù)問題。
本申請實施例提供一種像素驅(qū)動電路，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第一電容、第二電容以及發(fā)光器件；
所述第一晶體管的柵極電性連接于第一節(jié)點，所述第一晶體管的源極電性連接于第二節(jié)點，所述第一晶體管的漏極電性連接于第二電源信號；
所述第二晶體管的柵極電性連接于控制信號，所述第二晶體管的源極電性連接于數(shù)據(jù)信號，所述第二晶體管的漏極電性連接于所述第二電容的第二端；
所述第三晶體管的柵極電性連接于所述控制信號，所述第三晶體管的源極電性連接于所述第二節(jié)點，所述第三晶體管的漏極電性連接于所述第一節(jié)點；
所述發(fā)光器件的陽極端電性連接于第一電源信號，所述發(fā)光器件的陰極端電性連接于所述第二節(jié)點；
所述第二電容的第一端電性連接于所述第一節(jié)點；
所述第一電容的第一端電性連接于所述第一節(jié)點，所述第一電容的第二端電性連接于所述第二電源信號。
在本申請所述的像素驅(qū)動電路中，所述控制信號、所述數(shù)據(jù)信號以及所述第二電源信號相組合先后對應(yīng)于閾值電壓獲取階段、數(shù)據(jù)電壓獲取階段以及發(fā)光階段；所述數(shù)據(jù)信號包括第一參考低電位、第二參考低電位以及顯示高電位，所述第一參考低電位的電位值小于所述第二參考低電位的電位值，所述第二參考低電位的電位值小于所述顯示高電位的電位值；所述第二電源信號包括第二電源低電位以及第二電源高電位。
在本申請所述的像素驅(qū)動電路中，所述第二電源高電位的電位值大于所述第一電源信號的電位值與所述發(fā)光器件的開啟電壓的電位值。
在本申請所述的像素驅(qū)動電路中，在所述閾值電壓獲取階段，所述控制信號為高電位，所述數(shù)據(jù)信號由所述第一參考低電位跳變至所述第二參考低電位，所述第二電源信號為所述第二電源高電位。
在本申請所述的像素驅(qū)動電路中，在所述數(shù)據(jù)電壓獲取階段，所述控制信號為高電位，所述數(shù)據(jù)信號為所述顯示高電位，所述第二電源信號為所述第二電源高電位。
在本申請所述的像素驅(qū)動電路中，在所述發(fā)光階段，所述控制信號為低電位，所述數(shù)據(jù)信號由所述顯示高電位跳變至所述第一參考低電位，所述第二電源信號由所述第二電源高電位跳變至所述第二電源低電位。
在本申請所述的像素驅(qū)動電路中，所述第一晶體管、所述第二晶體管以及所述第三晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管或非晶硅薄膜晶體管。
在本申請所述的像素驅(qū)動電路中，流經(jīng)所述發(fā)光器件的電流與所述第一晶體管的閾值電壓無關(guān)。
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