[發明專利]一種全新IGBT模塊

有效

• 申請號: 201910172959.6
• 申請日: 2019-03-07
• 公開（公告）號: CN109979896B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 盧博朗
• 申請（專利權）人: 浙江葉尼塞電氣有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/467;H01L25/10
• 代理公司: 重慶創新專利商標代理有限公司 50125
• 代理人: 邢明順

本發明公開了一種全新IGBT模塊，包括底板、芯片和散熱器，所述底板的頂端設置有外殼體，且外殼體內部的底板的兩側均安裝有緩沖腔，所述緩沖腔的內部通過減震彈簧設置有活動板，且活動板的頂端安裝有支撐桿，所述支撐桿的頂端固定有DCB陶瓷基板，且DCB陶瓷基板頂端的兩側均通過錫焊安裝有芯片，所述DCB陶瓷基板頂端的中間設置有溫度傳感器，所述外殼體頂端的兩側均設置有絕緣套管，且絕緣套管的內部均設置有電極，所述電極的輸出端延伸至絕緣套管的外部，所述芯片的頂端均設置有引線與電極固定連接，所述底板的底端安裝有散熱器。本發明便于散熱和維護檢修，且具有減震的優點，避免外界的震蕩對模塊內部的芯片造成損傷。

技術領域

本發明涉及功率半導體模塊技術領域，具體為一種全新IGBT模塊。

背景技術

隨著電子技術的發展，功率模塊被廣泛的應用于各種電子產品中，尤其是IGBT模塊，其廣泛的應用于帶有開關電源的控制器以及電動汽車控制器等各個領域，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)是80年代中期問世的一種復合型電力電子器件,從結構上說，相當于一個由MOSFET(Metal OxideSemiconductorField Effect Transistor，金屬-氧化物-半導體場效晶體管)驅動的厚基區的BJT(Bipolar Junction Transistor，雙極結型晶體管),IGBT既有MOSFET的快速響應、高輸入阻抗、熱穩定性好、驅動電路簡單的特性，也具備BJT的電流密度高、通態壓降低，耐壓高的特性，被廣泛應用于電力電子設備中；

現有的IGBT模塊散熱不好，而高溫會使芯片的性能下降，長期如此甚至會導致芯片失效，在安裝或者運輸時，外界的震蕩會對模塊內部的零件造成損傷，且現有的IGBT模塊外殼與底座大都一體成型，不便于維修。

發明內容

本發明的目的在于提供一種全新IGBT模塊，以解決上述背景技術中提出的散熱不好、外界的震蕩會對模塊內部的零件造成損傷和不便于維修問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種全新IGBT模塊，包括底板、芯片和散熱器，所述底板的頂端設置有外殼體，且外殼體內部的底板的兩側均通過焊接安裝有緩沖腔，所述緩沖腔內部的底端設置有減震彈簧，且減震彈簧的頂端設置有活動板與緩沖腔的內側壁活動連接，所述活動板的頂端通過焊接安裝有支撐桿，且支撐桿延伸至緩沖腔的外部，所述支撐桿的頂端固定有DCB陶瓷基板，且DCB陶瓷基板頂端的兩側均通過錫焊安裝有芯片，所述DCB陶瓷基板頂端的中間設置有溫度傳感器，所述外殼體頂端的兩側均設置有絕緣套管，且絕緣套管的內部均設置有電極，所述電極的輸出端延伸至絕緣套管的外部，所述芯片的頂端均設置有引線與電極固定連接，所述底板的底端安裝有散熱器，且散熱器內部底端的中間設置有風扇。

優選的，所述底板的頂端設置有環形凹槽，且外殼體底端的邊緣處設置有環形裙邊插入環形凹槽內部，且環形裙邊與底板通過螺栓固定連接。

優選的，所述外殼體的內側壁上設置有聚酰亞胺絕膜緣，且聚酰亞胺絕緣膜與外殼體構成絕緣結構。

優選的，所述DCB陶瓷基板的底端通過焊接安裝有散熱翅片，且散熱翅片與DCB陶瓷基板構成散熱結構。

優選的，所述散熱器的兩端均設置有通風口，且通風口上均設置有篩網，通風口與散熱器的殼體構成通風結構。

優選的，所述散熱器兩端的底部均設置有安裝件，且安裝件上均勻設置有安裝孔。