[發(fā)明專利]一種應(yīng)用于三維存儲器的穩(wěn)壓器電路及三維存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910171624.2
• 申請日: 2019-03-07
• 公開（公告）號: CN109658957B
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜含笑;劉飛;王頎;霍宗亮
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱宗力;王寶筠

本申請公開了一種應(yīng)用于三維存儲器的穩(wěn)壓器電路及三維存儲器，其中，所述應(yīng)用于三維存儲器的穩(wěn)壓器電路由放大模塊、第一晶體管、第一電容和反饋分壓模塊構(gòu)成，其中，所述放大模塊用于對電壓進(jìn)行第一次放大，獲得差分放大電壓，差分放大電壓經(jīng)過第一晶體管的二次放大后形成輸出電壓輸出；并且由于所述放大模塊中存在有隔離單元，使得所述應(yīng)用于三維存儲器的穩(wěn)壓器電路在高頻工作下，可以避免第一晶體管的源端被短接到其柵端形成二極管連接結(jié)構(gòu)的情況，從而避免了提供工作電壓的電源噪聲通過二極管連接結(jié)構(gòu)直接被二極管連接結(jié)構(gòu)輸出的情況，使得電源噪聲可以被隔離單元和第一晶體管過濾，進(jìn)而提升了穩(wěn)壓器電路的電源抑制比。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種應(yīng)用于三維存儲器的穩(wěn)壓器電路及三維存儲器。

背景技術(shù)

存儲器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。隨著各類電子設(shè)備對集成度和數(shù)據(jù)存儲密度的需求的不斷提高，普通的二維存儲器很難做到進(jìn)一步提高其集成度和數(shù)據(jù)存儲密度，因此，三維(3D)存儲器應(yīng)運(yùn)而生。

三維存儲器通常由形成于襯底上的存儲器單元陣列(或稱存儲單元)和與存儲器單元陣列連接的外圍電路構(gòu)成，外圍電路中包括有多種不同的電荷泵(Charge Pump)和多種不同的穩(wěn)壓器(Regulator)電路，不同的電荷泵產(chǎn)生不同等級的電壓，以給不同的穩(wěn)壓器電路提供工作電壓；不同的穩(wěn)壓器電路產(chǎn)生不同的電壓以用于存儲器單元陣列的編寫、擦除、讀取和驗(yàn)證操作。在三維存儲器正常工作時，由于三維存儲器中的外部電路和存儲器單元陣列均為數(shù)字電路，需要用到多個頻率的時鐘，并且工作頻率較高。同時電荷泵作為供電電源，輸出電壓紋波較大，頻率較高。另外由于外部電源布線需要遍布整個芯片版圖，外部噪聲影響較大，金屬線上的電壓損失較大。這些因素都將嚴(yán)重影響穩(wěn)壓器電路的輸出電壓，并增大電路框架和具體設(shè)計(jì)難度，因此需要提升現(xiàn)有技術(shù)中的穩(wěn)壓器的電源抑制比(PowerSupply Rejection Ratio，PSRR)。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┝艘环N應(yīng)用于三維存儲器的穩(wěn)壓器電路及三維存儲器，以實(shí)現(xiàn)提升穩(wěn)壓器電路的電源抑制比的目的。

為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本申請實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案：

一種應(yīng)用于三維存儲器的穩(wěn)壓器電路，包括：放大模塊、第一晶體管、第一電容和反饋分壓模塊；其中，

所述放大模塊包括電流鏡單元、隔離單元和電流產(chǎn)生及差分處理單元；

所述電流產(chǎn)生及差分處理單元包括第一連接端、第二連接端、第三連接端和第四連接端；所述隔離單元包括第五連接端、第六連接端、第七連接端和第八連接端；所述電流鏡單元包括第九連接端、第十連接端和第十一連接端；所述第十一連接端用于接收工作電壓；

所述第一連接端與所述第五連接端連接，所述第二連接端與所述第六連接端連接，所述第七連接端與所述第九連接端連接，所述第八連接端與所述第十連接端連接；所述第十一連接與所述第一晶體管的源極連接；

所述第一電容的一端接于所述第二連接端和第六連接端的連接節(jié)點(diǎn)；所述第一晶體管的柵極接于所述第八連接端與所述第十連接端的連接節(jié)點(diǎn)；所述第一晶體管的漏極與所述第一電容遠(yuǎn)離所述放大模塊的一端連接；

所述反饋分壓模塊的第一輸入端與所述第一晶體管的漏極連接，所述反饋分壓模塊的輸出端與所述第三連接端連接，所述反饋分壓模塊的接地端與所述第四連接端連接；

所述電流產(chǎn)生及差分處理單元用于產(chǎn)生第一電流和第二電流，并對所述第一電流和第二電流分別進(jìn)行差分處理后，通過所述第一連接端和第二連接端向所述隔離單元傳輸；所述第一電流和第二電流經(jīng)過所述隔離單元后分別通過第九連接端和第十連接端向所述電流鏡單元傳輸，經(jīng)過所述電流鏡單元處理后在所述第十連接端形成差分放大電壓；所述差分放大電壓經(jīng)過所述第一晶體管放大后形成輸出電壓；

所述隔離單元用于隔離所述第一晶體管的柵極與所述第一電容的連接；