[發明專利]納米結構的制作方法在審
| 申請號： | 201910171605.X | 申請日： | 2019-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN110737170A | 公開（公告）日： | 2020-01-31 |
| 發明（設計）人： | 段天利;王堯;馬續航;張銳;瞿學選 | 申請（專利權）人： | 南方科技大學 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 44224 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 | 代理人： | 潘霞;譚露盈 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 抗蝕層 納米結構 曝光區 非曝光區域 曝光處理 曝光劑量 曝光區域 層疊件 圖案 電子抗蝕劑 區域形成 顯影處理 金屬層 易剝離 襯底 去除 去膠 正性 制作 清洗 繪制 對抗 | ||
1.一種納米結構的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
繪制版圖，所述版圖設有曝光區域和非曝光區域，在所述非曝光區域中設置輔助曝光區；
使用正性電子抗蝕劑在襯底上形成抗蝕層；
根據所述版圖對所述抗蝕層進行曝光處理，然后進行顯影處理，得到具有圖案的所述抗蝕層，其中，所述曝光處理的步驟中，所述輔助曝光區的曝光劑量小于所述曝光區域的曝光劑量，以使所述抗蝕層對應所述輔助曝光區的區域形成凹槽；
在具有所述圖案的所述抗蝕層上形成金屬層，得到層疊件；及
使用去膠試劑清洗所述層疊件以去除所述抗蝕層，得到所述納米結構。
2.根據權利要求1所述的納米結構的制作方法，其特征在于，所述輔助曝光區為多個，多個所述輔助曝光區沿一直線或弧線間隔設置，多個所述輔助曝光區的總面積與所述非曝光區域的面積的比為1:30～1:4。
3.根據權利要求1所述的納米結構的制作方法，其特征在于，所述使用去膠試劑清洗所述層疊件以去除所述抗蝕層的步驟具體為：將所述層疊件浸泡在所述去膠試劑中，然后在5W～10W、10kHz～40kHz的條件下對所述層疊件進行超聲波處理。
4.根據權利要求1所述的納米結構的制作方法，其特征在于，所述輔助曝光區的曝光劑量為所述曝光區域的曝光劑量的50％～80％。
5.根據權利要求1所述的納米結構的制作方法，其特征在于，所述在具有所述圖案的所述抗蝕層上形成金屬層的方法為磁控濺射或電子束蒸鍍；
及/或，所述金屬層的厚度為30納米～100納米；
及/或，所述金屬層的材質選自鉻、鋁、金及鈦中的一種。
6.根據權利要求1所述的納米結構的制作方法，其特征在于，所述凹槽為狹長型。
7.根據權利要求1～6任一項所述的納米結構的制作方法，其特征在于，所述正性電子抗蝕劑為聚甲基丙烯酸甲酯。
8.根據權利要求7所述的納米結構的制作方法，其特征在于，所述抗蝕層的厚度為100納米～300納米，所述曝光區域的曝光劑量為6C/m2～10C/m2，所述輔助曝光區的曝光劑量為3C/m2～8C/m2。
9.根據權利要求7所述的納米結構的制備方法，其特征在于，所述顯影處理的步驟中，使用顯影液對曝光處理后的所述抗蝕層進行顯影處理，所述顯影液包括異丙醇和甲基異丁基甲酮，且所述異丙醇和所述甲基異丁基甲酮的體積比為1:1～3:1；
及/或，所述去膠試劑選自丙酮、N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮及二價酸酯中的一種。
10.一種納米結構的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
繪制版圖，所述版圖設有曝光區域和非曝光區域，在所述曝光區域中設置輔助曝光區；
使用負性電子抗蝕劑在襯底上形成抗蝕層；
根據所述版圖對所述抗蝕層進行曝光處理，然后進行顯影處理，得到具有所述版圖圖案的所述抗蝕層，其中，所述曝光處理的步驟中，所述輔助曝光區的曝光劑量小于所述曝光區域的曝光劑量，以使所述抗蝕層對應所述輔助曝光區的區域形成凹槽；
在具有所述圖案的所述抗蝕層上形成金屬層，得到層疊件；及
使用去膠試劑清洗所述層疊件以去除所述抗蝕層，得到所述納米結構。
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