[發明專利]液晶高分子之金屬化方法

在審

• 申請號: 201910169946.3
• 申請日: 2019-03-06
• 公開（公告）號: CN111663122A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 黃耀德;吳昌龍;鄭景宏
• 申請（專利權）人: 臺灣上村股份有限公司;上村工業株式會社
• 主分類號: C23C18/20
• 分類號: C23C18/20;C23C18/36;C23C28/02
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國

本發明系揭露一種液晶高分子之金屬化方法，首先，對液晶高分子材料進行鹼處理，以清潔與粗化液晶高分子材料之表面。接著，對液晶高分子材料進行活化處理，以利用一活化劑提供金屬離子附著于液晶高分子材料之表面，并對此表面進行改質。再來，對液晶高分子材料進行還原處理，以還原金屬離子為金屬觸媒。最后，配合金屬觸媒之催化活性，以化鍍法形成一鎳層或一鎳合金層，以供一電鍍銅層形成于鎳層或鎳合金層上。本發明不需額外使用物理方式處理液晶高分子材料之表面，而直接以濕制程進行處理，以利用鎳提升銅箔之剝離強度。

技術領域

本發明系關于一種金屬化方法，且特別關于一種液晶高分子之金屬化方 法。

背景技術

液晶高分子(LCP)材料，具有耐酸鹼與耐高溫之特性，與聚亞酰胺(PI)比 較，則有較低的吸水性、介電常數與熱膨脹系數，因此液晶高分子薄膜成為 主要高速傳輸用之軟板基材之一。傳統LCP軟板是以銅箔高溫壓合方式制作， 壓合溫度接近LCP熔融溫度，對生產良率不易掌握。

在中國臺灣專利I607866中，揭露在液晶高分子基板上進行金屬化流程， 其中液晶高分子材料需要經過多一道處理，即在表面形成含量0.01％以上C＝O 官能基，然后經過前處理、化鍍銅及電鍍銅流程完成金屬化，制程所需時間 較長，成本較高。此外，高分子與金屬介面藉由高溫環境產生的擴散作用增 加兩者間的附著力，化鍍銅在高溫環境下容易氧化形成氧化銅層，隨氧化銅 層厚度增加則附著力下降，容易有銅箔與基材分離情形，在線路制作流程中 造成線路剝離或無法形成線路。在臺灣專利I563886中，揭露以樹脂中添加觸 發粒子作為絕緣材料，以雷射方式活化孔內觸發粒子，后續才可于孔內上鍍 金屬層，因為需要添加觸發粒子，所以此制程同樣所需時間較長，成本較高。 另一傳統方式為濺鍍法，先在基材上濺鍍一導電層后，再以電鍍方式制作銅 箔。如圖1所示，此濺鍍方式，可利用濺鍍靶材10在液晶高分子材料12形成導 電層，然而在濺射原子多方向及多角度散射的影響下，在液晶高分子材料12 之非水平表面下不易形成均勻且連續的導電層，在微小盲孔14或通孔甚至形 成封孔情形。由于液晶高分子材料主要用于軟性電路板制作，盲孔或通孔為線路制作之必要結構，主要功能在于雙面或雙層電路之導通，封孔造成孔內 導電層不均勻或無法導電，后續電鍍銅將無法上鍍。

因此，本發明系在針對上述的困擾，提出一種液晶高分子之金屬化方法， 以解決習知所產生的問題。

發明內容

本發明的主要目的，在于提供一種液晶高分子之金屬化方法，其系不需 額外使用物理方式處理液晶高分子材料之表面，而直接以濕制程進行處理， 以利用具有優秀抗氧化性之化鍍鎳提升銅箔之剝離強度，提供電鍍銅形成所 需之厚度，同時縮短制程并降低成本。此外，濕制程的等向特性，可同時在 盲孔或通孔等非水平表面形成均勻之導電層。

為達上述目的，本發明提供一種液晶高分子之金屬化方法，首先，對液 晶高分子材料進行鹼處理，以清潔與粗化液晶高分子材料之表面。接著，對 液晶高分子材料進行活化處理，以利用一活化劑提供金屬離子附著于液晶高 分子材料之表面，并對此表面進行改質。再來，對液晶高分子材料進行還原 處理，以還原金屬離子為金屬觸媒。最后，配合金屬觸媒之催化活性，以化 鍍法形成一鎳層或一鎳合金層，以供一電鍍銅層形成于鎳層或鎳合金層上。

在本發明之一實施例中，鹼處理為將液晶高分子材料浸泡于濃度為 50～500克/升(g/L)之一鹼處理劑中1～30分鐘，且鹼處理劑之溫度為攝氏40～80 度。

在本發明之一實施例中，鹼處理劑包含氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化鋰 與氫氧化鈣之至少其中之一者。

在本發明之一實施例中，活化處理為將液晶高分子材料浸泡于活化劑中 1～10分鐘，且活化劑之溫度為攝氏20～70度，活化劑之濃度為0.01～5克/升 (g/L)。

在本發明之一實施例中，金屬離子為鈀離子，活化劑包含氯化鈀、二氯 二氨鈀、二氯四氨鈀、硫酸鈀或二氨亞硝酸鈀。