[發明專利]一種單晶硅鑄錠用坩堝和單晶硅鑄錠方法

在審

• 申請號: 201910168212.3
• 申請日: 2019-03-06
• 公開（公告）號: CN109972197A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 羅鴻志;何亮;周成
• 申請（專利權）人: 賽維LDK太陽能高科技（新余）有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/06
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，包括坩堝本體和引晶層，所述坩堝本體包括底座和由所述底座向上延伸的側壁，所述底座和所述側壁圍成一收容空間，所述引晶層設置在所述底座朝向所述收容空間的一側，所述引晶層包括位于所述底座中部的第一單晶區，以及依次環繞設置在所述第一單晶區外的第一多晶區、第二單晶區和第二多晶區，所述第二多晶區外圍與所述側壁貼合。

2.如權利要求1所述的單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，所述第二單晶區和所述側壁之間具有第一間距，所述第一單晶區和所述第二單晶區之間具有第二間距，所述第一間距和所述第二間距的比值為1：(0.2-1)。

3.如權利要求1所述的單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，所述第二單晶區面積占所述引晶層面積的1％-10％。

4.如權利要求1所述的單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，所述第二單晶區在第一方向上的長度為10mm-50mm，其中，所述第一方向經過所述第一單晶區的中心且與所述底座朝向所述收容空間的表面平行。

5.如權利要求1所述的單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，所述第一單晶區面積占所述引晶層面積的50％-80。

6.如權利要求1所述的單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，所述第一多晶區面積小于或等于所述第二多晶區面積。

7.如權利要求1所述的單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，所述引晶層的厚度為5mm-30mm。

8.如權利要求1所述的單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，所述第一單晶區由多個單晶籽晶塊組成，所述第二單晶區由多個單晶條組成。

9.一種單晶硅鑄錠方法，其特征在于，包括：提供硅料和如權利要求1-8任一項所述的單晶硅鑄錠用坩堝，將所述硅料填裝至所述單晶硅鑄錠用坩堝后，置于鑄錠爐中進行鑄錠，制備得到單晶硅。

10.如權利要求9所述的單晶硅鑄錠方法，其特征在于，所述將所述硅料填裝至所述單晶硅鑄錠用坩堝后，置于鑄錠爐中進行鑄錠，制備得到單晶硅，包括：

將所述硅料填裝至所述單晶硅鑄錠用坩堝后置于鑄錠爐中進行加熱，使所述硅料全部熔化形成硅熔體，且所述單晶硅鑄錠用坩堝中的所述引晶層不熔化時，調節熱場形成過冷狀態，進入長晶階段，待全部所述硅熔體結晶完后，經退火冷卻得到單晶硅。