[發明專利]一種應用于能量收集系統的多能量融合升壓電路

在審

• 申請號: 201910168006.2
• 申請日: 2019-03-06
• 公開（公告）號: CN109842284A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 韋保林;韓懷宇;韋雪明;徐衛林;段吉海;岳宏衛
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: H02M1/36
• 分類號: H02M1/36;H02M7/217
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107
• 代理人: 陳躍琳

1.一種應用于能量收集系統的多能量融合升壓電路，其特征是，包括2個多能量升壓單元；每個多能量升壓單元各由1個高電壓鉗位電路、1個低電壓鉗位支路和1個輸出電路構成；

第一高電壓鉗位電路包括電容C₁和NMOS管CMN₁；NMOS管CMN₁的襯底接其漏極；差分射頻輸入信號RF-連接電容C₁的上級板；電容C₁的下級板連接NMOS管CMN₁的源極，并形成第一高電壓鉗位電路的輸出端；NMOS管CMN₁的漏極和柵極同時連接直流信號DC+；

第一低電壓鉗位電路包括電容C₂和NMOS管CMN₂；NMOS管CMN₂的襯底接其漏極；差分射頻輸入信號RF-連接電容C₂的上級板；電容C₂的下級板連接NMOS管CMN₂漏極和柵極，并形成第一低電壓鉗位電路的輸出端；NMOS管CMN₂源極連接直流信號DC-；

第一輸出電路包括NMOS管MN₁和PMOS管MP₁；NMOS管MN₁的襯底接其源極；PMOS管MP₁的襯底接其源極；PMOS管MP₁的源極接第一高電壓鉗位電路的輸出端；NMOS管MN₁的源極接第一低電壓鉗位電路的輸出端；差分射頻輸入信號RF+同時連接NMOS管MN₁和PMOS管MP₁的柵極；NMOS管MN₁和PMOS管MP₁的漏極相連，并輸出差分輸出信號Out-；

第二高電壓鉗位電路包括電容C₃和NMOS管CMN₃；NMOS管CMN₃的襯底接其漏極；差分射頻輸入信號RF+連接電容C₃的上級板；電容C₃的下級板連接NMOS管CMN₃的源極，并形成第二高電壓鉗位電路的輸出端；NMOS管CMN₃的漏極和柵極同時連接直流信號DC+；

第二低電壓鉗位電路包括電容C₄和NMOS管CMN₄；NMOS管CMN₄的襯底接其漏極；差分射頻輸入信號RF+連接電容C₄的上級板；電容C₄的下級板連接NMOS管CMN₄漏極和柵極，并形成第二低電壓鉗位電路的輸出端；NMOS管CMN₄源極連接直流信號DC-；

第二輸出電路包括NMOS管MN₂和PMOS管MP₂；NMOS管MN₂的襯底接其源極；PMOS管MP₂的襯底接其源極；PMOS管MP₂的源極接第二高電壓鉗位電路的輸出端；NMOS管MN₂的源極接第二低電壓鉗位電路的輸出端；差分射頻輸入信號RF+同時連接NMOS管MN₂和PMOS管MP₂的柵極；NMOS管MN₂和PMOS管MP₂的漏極相連，并輸出差分輸出信號Out+。

2.根據權利要求1所述的一種應用于能量收集系統的多能量融合升壓電路，其特征是，電容C₁～C₄的參數相同。

3.根據權利要求1所述的一種應用于能量收集系統的多能量融合升壓電路，其特征是，NMOS管CMN₁～CMN₄的參數相同。

4.根據權利要求1所述的一種應用于能量收集系統的多能量融合升壓電路，其特征是，PMOS管MP₁寬長比是NMOS管MN₁寬長比的3倍。

5.根據權利要求1所述的一種應用于能量收集系統的多能量融合升壓電路，其特征是，PMOS管MP₂寬長比是NMOS管MN₂寬長比的3倍。