[發明專利]一種帶隙基準電壓高速上電防過沖電路有效
| 申請號: | 201910167082.1 | 申請日: | 2019-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN110703842B | 公開(公告)日: | 2020-08-14 |
| 發明(設計)人: | 王述前;龍冬慶 | 申請(專利權)人: | 深圳市芯天下技術有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/571 | 分類號: | G05F1/571 |
| 代理公司: | 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217 | 代理人: | 郭偉剛 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗區橫*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基準 電壓 高速 上電防 電路 | ||
1.一種帶隙基準電壓高速上電防過沖電路,其特征在于,包括:
主電路(10),與電源(VCC)連接,用于輸出基準電流;
啟動模塊(20),與主電路(10)連接,用于啟動主電路(10);
輸出模塊(30),與主電路(10)連接,用于根據主電路(10)提供的基準電流輸出所需規格的帶隙基準電壓;
濾波延時控制模塊(40),分別與主電路(10)和輸出模塊(30)連接,用于采集主電路(10)在啟動階段所產生的過沖信號,并根據采集到的過沖信號來延時輸出模塊(30)對主電路(10)進行采樣,以避免采樣到主電路(10)產生的過沖信號。
2.根據權利要求1所述的帶隙基準電壓高速上電防過沖電路,其特征在于,所述主電路(10)包括:第一開關管(Q1)、第二開關管(Q2)、第一電阻(R1)、第三開關管(PM1)、第四開關管(PM2)、運算放大器(P),
第一開關管(Q1)的源極和柵極接地,第一開關管(Q1)的漏極與第一電阻(R1)的一端連接,第一電阻(R1)的另一端分別與運算放大器(P)的同相輸入端、第三開關管(PM1)的漏極連接,第三開關管(PM1)的柵極分別與運算放大器(P)的輸出端、第四開關管(PM2)的柵極連接,第三開關管(PM1)的源極與電源(VCC)連接,
第二開關管(Q2)的源極和柵極接地,第二開關管(Q2)的漏極分別與運算放大器(P)的反相輸入端、第四開關管(PM2)的漏極連接,第四開關管(PM2)的源極與電源(VCC)連接,
運算放大器(P)的輸出端還分別與啟動模塊(20)、輸出模塊(30)、濾波延時控制模塊(40)連接。
3.根據權利要求2所述的帶隙基準電壓高速上電防過沖電路,其特征在于,所述啟動模塊(20)包括:第五開關管(NM1)、第六開關管(NM2)、第二電阻(R3),
第五開關管(NM1)的漏極與運算放大器(P)的輸出端連接,第五開關管(NM1)的源極接地,第五開關管(NM1)的柵極分別與第二電阻(R3)的一端、第六開關管(NM2)的漏極連接,第二電阻(R3)的另一端與電源(VCC)連接,第六開關管(NM2)的源極接地,第六開關管(NM2)的柵極與輸出模塊(30)連接。
4.根據權利要求3所述的帶隙基準電壓高速上電防過沖電路,其特征在于,所述輸出模塊(30)包括:第七開關管(Q3)、第三電阻(R2)、第八開關管(PM6b)、第九開關管(PM3),
第七開關管(Q3)的源極和柵極接地,第七開關管(Q3)的漏極與第三電阻(R2)的一端連接,第三電阻(R2)的另一端分別與第八開關管(PM6b)的漏極、第六開關管(NM2)的柵極連接,第八開關管(PM6b)的柵極與濾波延時控制模塊(40)連接,第八開關管(PM6b)的源極與第九開關管(PM3)的漏極連接,第九開關管(PM3)的柵極與運算放大器(P)的輸出端連接,第九開關管(PM3)的源極與電源(VCC)連接,第三電阻(R2)的另一端與第八開關管(PM6b)的漏極之間設置有供與負載連接的輸出端口。
5.根據權利要求4所述的帶隙基準電壓高速上電防過沖電路,其特征在于,所述濾波延時控制模塊(40)包括:第十開關管(NM3b)、第十一開關管(PM5b)、第十二開關管(PM4b)、電容(C1b),
第十開關管(NM3b)的源極接地,第十開關管(NM3b)的柵極分別與第十二開關管(PM4b)的漏極、電容(C1b)的上極板連接,電容(C1b)的下極板接地,第十開關管(NM3b)的漏極分別與第十一開關管(PM5b)的漏極、第八開關管(PM6b)的柵極連接,第十一開關管(PM5b)的柵極與運算放大器(P)的輸出端連接,第十一開關管(PM5b)的源極與電源(VCC)連接,第十二開關管(PM4b)的柵極與運算放大器(P)的輸出端連接,第十二開關管(PM4b)的源極與電源(VCC)連接。
6.根據權利要求5所述的帶隙基準電壓高速上電防過沖電路,其特征在于,所述第八開關管(PM6b)為N型MOS管或者P型MOS管。
7.根據權利要求5所述的帶隙基準電壓高速上電防過沖電路,其特征在于,所述電容(C1b)為MIM電容或者MOS電容。
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