[發(fā)明專利]一種安全芯片主動防護層結構在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910167064.3 | 申請日： | 2019-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN111668187A | 公開（公告）日： | 2020-09-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陸小勇;肖金磊;陳凝;郭耀華;許秋林 | 申請（專利權）人： | 紫光同芯微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L23/532;H01L23/538 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100083 北京市海淀區(qū)五*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 安全 芯片 主動 防護 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種安全芯片主動防護層結構，其特征在于，所述安全芯片主動防護層結構包括焊線孔、第一鈍化層介質、第二鈍化層介質、金屬鋁層、第一黏附阻擋層、金屬塞、第二黏附阻擋層、金屬阻擋層、介質層和銅金屬層，其中，金屬塞由金屬鎢通過化學氣相沉積CVD工藝形成；
焊線孔穿過第一鈍化層介質和第二鈍化層介質后與金屬鋁層連接；
第一鈍化層介質連接并覆蓋第二鈍化層介質，第二鈍化層介質連接并覆蓋金屬鋁層、第一黏附阻擋層和第二黏附阻擋層；
第一黏附阻擋層覆蓋金屬鋁層的底部和側壁；
第二黏附阻擋層覆蓋金屬塞的底部和側壁；
金屬鋁層與金屬塞通過第一黏附阻擋層相連接；
金屬塞和銅金屬層通過金屬阻擋層與第二黏附阻擋層相連接；
銅金屬層之間填充介質層；
金屬阻擋層連接金屬塞和銅金屬層。
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