[發明專利]阻變存儲器的制備方法

有效

• 申請號: 201910166430.3
• 申請日: 2019-03-06
• 公開（公告）號: CN109920911B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 盧年端;姜文峰;李泠;耿玓;劉琦;呂杭炳;劉明
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H10N70/00
• 分類號: H10N70/00
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

1.一種阻變存儲器的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底的上表面沉積第一金屬層；

在所述第一金屬層的上表面沉積阻變功能層；

在所述阻變功能層的上表面沉積具有低遷移率的材料層；

在所述具有低遷移率的材料層上制備一個以上通孔；所述通孔為圓臺狀，且所述圓臺狀通孔的上底面直徑小于所述圓臺狀通孔的下底面直徑；所述在所述具有低遷移率的材料層上制備一個以上通孔包括：

在所述具有低遷移率的材料層的上表面滴加液體腐蝕劑；

采用金屬探針對所述液體腐蝕劑施加向下的力，在所述具有低遷移率的材料層上形成所述通孔；

去除所述液體腐蝕劑；

對所述具有低遷移率的材料層的上表面進行清洗；

對所述具有低遷移率的材料層的上表面進行烘干；

在所述具有低遷移率的材料層的上表面沉積第二金屬層；

所述在所述具有低遷移率的材料層的上表面沉積第二金屬層包括：

通過磁控濺射、離子束濺射或者電子束蒸發在所述具有低遷移率的材料層的上表面沉積所述第二金屬層。

2.根據權利要求1所述的阻變存儲器的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底的上表面沉積第一金屬層包括：

通過磁控濺射、離子束濺射或者電子束蒸發在所述襯底的上表面沉積所述第一金屬層。

3.根據權利要求1所述的阻變存儲器的制備方法，其特征在于，所述第一金屬層為鉑材料層或者金材料層，所述第一金屬層的厚度為50納米至100納米。

4.根據權利要求1所述的阻變存儲器的制備方法，其特征在于，所述在所述第一金屬層的上表面沉積阻變功能層包括：

通過原子層沉積法、磁控濺射或者離子束濺射在所述第一金屬層的上表面沉積所述阻變功能層。

5.根據權利要求1所述的阻變存儲器的制備方法，其特征在于，所述阻變功能層為氧化鉭材料層、二氧化鉿材料層、二氧化鈦材料層、氧化鎳材料層或者二氧化鋯材料層，所述阻變功能層的厚度為5納米至20納米。

6.根據權利要求1所述的阻變存儲器的制備方法，其特征在于，所述在所述阻變功能層的上表面沉積具有低遷移率的材料層包括：

通過原子層沉積法、磁控濺射或者離子束濺射在所述阻變功能層的上表面沉積所述具有低遷移率的材料層。

7.根據權利要求1所述的阻變存儲器的制備方法，其特征在于，所述具有低遷移率的材料層為氮化硼材料層、有機半導體材料層或者氮化硅材料層，所述具有低遷移率的材料層的厚度為5納米至10納米。

8.根據權利要求1所述的阻變存儲器的制備方法，其特征在于，所述第二金屬層為銅材料層或者銀材料層，所述第二金屬層的厚度為50納米至100納米。