[發明專利]阻變存儲器有效
| 申請號： | 201910166374.3 | 申請日： | 2019-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN109904314B | 公開（公告）日： | 2022-10-21 |
| 發明（設計）人： | 盧年端;姜文峰;李泠;耿玓;劉琦;呂杭炳;劉明 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 | ||
【權利要求書】：
1.一種阻變存儲器，其特征在于，包括由上而下依次層疊設置的第一金屬層、阻變功能層、具有低遷移率的材料層以及第二金屬層，其中，所述具有低遷移率的材料層上設置有兩個以上通孔；
所述具有低遷移率的材料層的厚度為5納米至10納米；
所述通孔為圓柱狀通孔或者圓臺狀通孔。
2.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述具有低遷移率的材料層為氮化硼材料層、有機半導體材料層或者氮化硅材料層。
3.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述第一金屬層為鉑材料層或者金材料層。
4.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為50納米至100納米。
5.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述第二金屬層為銅材料層或者銀材料層。
6.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述第二金屬層的厚度為50納米至100納米。
7.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變功能層為氧化鉭材料層、二氧化鉿材料層、二氧化鈦材料層、氧化鎳材料層或者二氧化鋯材料層。
8.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變功能層的厚度為5納米至20納米。
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