[發明專利]一種場效應功率管開通電路在審
| 申請號: | 201910166187.5 | 申請日: | 2019-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN110958001A | 公開(公告)日: | 2020-04-03 |
| 發明(設計)人: | 武凱;李飛 | 申請(專利權)人: | 鄭州嘉晨電器有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/0412 | 分類號: | H03K17/0412;H03K17/687 |
| 代理公司: | 上海金盛協力知識產權代理有限公司 31242 | 代理人: | 鄭鳴捷 |
| 地址: | 450000 河南省鄭*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 場效應 功率管 開通 電路 | ||
1.一種場效應(MOS)功率管開通電路,該電路包括:MOS功率管S1、驅動電阻R1以及輔助開通電路;其中、所述MOS功率管S1的漏極和源極處于相應的偏置狀態使所述MOS功率管S1能夠處于完全開通狀態,驅動電阻R1的一端連接MOS功率管S1的柵極,另一端連接驅動電壓U1;所述輔助開通電路并聯在驅動電阻R1的兩端,并在驅動電壓U1上升到該MOS功率管S1門極電壓變化階段的米勒平臺電壓值時導通,導通后的所述輔助開通電路的阻抗小于所述驅動電阻R1的阻抗、使驅動電壓U1產生的充電電流經由所述輔助開通電路輸入到MOS功率管的柵極進行充電,加快門極電壓的變化,加速所述MOS功率管S1的導通。
2.如權利要求1所述的場效應(MOS)功率管開通電路,其中、所述輔助開通電路包括:晶體三極管Q1,比較器Com1以及上拉電阻R2;其中晶體三極管Q1的射極連接MOS功率管S1的柵極,晶體三極管Q1的集電極連接驅動電壓U1,與驅動電阻R1并聯;比較器Com1的輸出端連接晶體三極管Q1的基極以及上拉電阻R2的一端,上拉電阻R2的另一端連接預設的上拉電壓;比較器Com1的正向輸入端接驅動電壓U1的采樣電壓,反向輸入端接參考電壓,其中所述參考電壓設為所述MOS功率管門極電壓變化階段的米勒平臺電壓值。
3.如權利要求1所述的場效應(MOS)功率管開通電路,其中、所述輔助開通電路包括:晶體三極管Q1,穩壓管Z1;其中晶體三極管Q1的射極接MOS功率管S1的柵極,晶體三極管Q1的集電極連接驅動電壓U1,與驅動電阻R1并聯;穩壓管Z1的正極連接晶體三極管Q1的基極,負極連接驅動電壓U1,穩壓管的穩壓值設為所述MOS功率管門極電壓變化階段的米勒平臺電壓值。
4.一種場效應(MOS)功率管開通方法,該方法具體實現為:增設輔助開通電路,并將所述輔助開通電路并聯在MOS功率管柵極上連接的驅動電阻的兩端,驅動電壓通過該驅動電阻接入到MOS功率管柵極;當驅動電壓上升該MOS功率管門極電壓變化階段的米勒平臺電壓值時,所述輔助開通電路導通;導通后的所述輔助開通電路的阻抗小于所述驅動電阻的阻抗、使驅動電壓產生的充電電流經由所述輔助開通電路輸入到MOS功率管的柵極進行充電,加快門極電壓的變化,加速所述MOS功率管的導通。
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