[發明專利]用于具有近間距LED芯片的倒裝芯片LED的封裝在審
| 申請號： | 201910164232.3 | 申請日： | 2019-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN110248492A | 公開（公告）日： | 2019-09-17 |
| 發明（設計）人： | 閆先濤 | 申請（專利權）人： | 硅谷光擎 |
| 主分類號： | H05K3/34 | 分類號： | H05K3/34;F21V19/00;F21Y115/10 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 黃志華;何月華 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 倒裝芯片 發射器 通孔 金屬焊盤 基板 基底 封裝 焊料 高溫共燒陶瓷 電接觸件 電流供應 金屬跡線 照明裝置 接合 電連接 頂表面 暴露 頂層 多層 跡線 子集 芯片 穿過 印制 制造 | ||
1.一種用于制造基于LED的照明裝置的發射器的方法，所述方法包括：
制造基板基底，所述基板基底具有多個高溫共燒陶瓷材料的層、設置于所述層之間的多個金屬通路、和使所述多個金屬通路互相連接的多個通孔；
拋光并清潔所述基板基底的頂表面，其中，在所述頂表面處暴露所述多個通孔的子集的頂端；
將多個金屬焊盤印制在所述基板基底的所述頂表面上，從而將所述多個金屬焊盤中的至少一些金屬焊盤印制到所述多個通孔的所述子集的所述頂端上；以及
將多個LED接合到所述多個金屬焊盤中的所述至少一些金屬焊盤，其中，所述多個LED中的至少一個為倒裝芯片LED。
2.如權利要求1所述的方法，其中，所述多個LED中的至少四個為倒裝芯片LED。
3.如權利要求1所述的方法，其中，所述多個LED全部為倒裝芯片LED。
4.如權利要求1所述的方法，其中，所述多個LED包括第一多個中央LED和圍繞所述第一多個中央LED設置的第二多個外圍LED，其中，至少所述中央LED為倒裝芯片LED。
5.如權利要求4所述的方法，其中，所述外圍LED也為倒裝芯片LED。
6.如權利要求4所述的方法，其中，所述外圍LED具有頂側引線接合焊盤，且其中，將所述多個LED接合到所述多個金屬焊盤中的所述至少一些金屬焊盤包括：將引線接合件連接在所述頂側引線接合焊盤與所述多個金屬焊盤的子集之間。
7.如權利要求1至4中任一項所述的方法，還包括：
在拋光并清潔所述基板基底的所述頂表面之后，在所述基板基底的所述頂表面之上添加上部結構。
8.如權利要求1至4中任一項所述的方法，還包括：
在將所述多個LED接合到所述多個金屬焊盤中的所述至少一些金屬焊盤之后，在所述基板基底的所述頂表面之上添加上部結構。
9.如權利要求1至4中任一項所述的方法，還包括：
在所述多個LED之上放置并密封透明蓋。
10.如權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述多個金屬通路和所述多個通孔被布置成將所述多個LED連接為兩個或更多個獨立可尋址的LED組，其中，每個獨立可尋址的LED組包括至少一個LED。
11.一種發射器，包括：
基板基底，所述基板基底包括多個高溫共燒陶瓷材料的層、設置于所述層之間的多個金屬通路、和穿過所述層且使所述多個金屬通路互相連接的多個通孔，其中，所述通孔中的至少一些通孔貫穿所述多個高溫共燒陶瓷材料的層的頂層；
多個金屬焊盤，所述多個金屬焊盤設置于所述頂層上與所述通孔電接觸，其中，在制造所述基板基底之后將所述多個金屬焊盤設置于所述頂層上；以及
多個LED，所述多個LED接合到所述多個金屬焊盤，所述多個LED包括第一多個中央LED和第二多個外圍LED，其中，至少所述中央LED為倒裝芯片LED，
其中，所述多個金屬焊盤都不設置于所述多個LED之間的區域中。
12.如權利要求11所述的發射器，其中，所述多個LED中的相鄰LED間隔20μm或更小的距離。
13.如權利要求11所述的發射器，其中，所述多個LED沿著網格布置，且所述多個LED中的相鄰LED間隔20μm或更小的距離。
14.如權利要求13所述的發射器，其中，所述多個LED包括至少16個LED。
15.如權利要求11至13中任一項所述的發射器，其中，所述多個LED全部為倒裝芯片LED。
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