[發明專利]測定爆珠濾棒中爆珠缺失的方法、可讀存儲介質及設備

有效

• 申請號: 201910164101.5
• 申請日: 2019-03-05
• 公開（公告）號: CN109738334B
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 叢亮滋;張晉;牟會南;陳建軍;李成富;孟慶華;王志勇;齊清美;張莎莎;袁霆;楊川;馮川;張遠方;劉杰;趙國慶;鐘青;于龍國;王彬彬;呂健;錢錚
• 申請（專利權）人: 山東中煙工業有限責任公司
• 主分類號: G01N9/36
• 分類號: G01N9/36;G01N9/24
• 代理公司: 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221
• 代理人: 張慶騫

1.一種測定爆珠濾棒中爆珠缺失的方法，其特征在于，包括：

根據濾棒中每顆爆珠密度波峰的個數，確定出每顆爆珠密度波峰的取數范圍；

擬合每顆爆珠密度波峰的曲線方程Y＝a_ij X²+b_ij X+c_ij；其中，Y為爆珠密度峰的密度，X為密度對應的檢測單元序號，a_ij、b_ij和c_ij為分別第i支濾棒的第j顆爆珠的曲線方程的二次項系數、一次項系數和常系數；

將-a_ij與p或p′比較：

當-a_ij大于等于p或p′時，第i支濾棒的第j顆爆珠不缺失；

當-a_ij小于p或p′時，第i支濾棒的第j顆爆珠缺失；

其中，p＝f-mσ，f為爆珠無缺失的濾棒的所有爆珠密度波峰曲線方程的二次項的平均值；σ為爆珠無缺失且全破損一段時間后的濾棒的所有爆珠密度波峰曲線方程的二次項的標準偏差；p′＝f′+mσ′，f′為爆珠全部缺失的濾棒的所有爆珠密度波峰曲線方程的二次項的平均值；σ′為爆珠全部缺失的濾棒的所有爆珠密度波峰曲線方程的二次項的標準偏差；m為常數且取正數。

2.如權利要求1所述的一種測定爆珠濾棒中爆珠缺失的方法，其特征在于，濾棒中每顆爆珠密度波峰的個數包括：單峰和雙峰。

3.如權利要求1所述的一種測定爆珠濾棒中爆珠缺失的方法，其特征在于，濾棒中每顆爆珠密度波峰個數的確定過程為：

當I大于等于H時，密度波峰為單峰；

當I小于H時，密度波峰為雙峰；

其中，I＝min{C1,C2}/max{C1,C2}；

C1為當前爆珠密度值減去其左鄰爆珠的密度值的差；

C2為當前爆珠密度值減去其右鄰爆珠的密度值的差；

H為判斷密度波峰是單峰或雙峰的閾值。

4.如權利要求1所述的一種測定爆珠濾棒中爆珠缺失的方法，其特征在于，每顆爆珠密度值的計算過程為：

測量每支濾棒的所有預設檢測單元的密度；

根據濾棒中每顆爆珠的設計位置劃分出爆珠的設計區間；

查找每顆爆珠的設計區間內檢測單元的最大密度，即得到濾棒中每顆爆珠的密度值；

或

當具有最大密度的檢測單元的一個分界線與爆珠設計區間的一個非濾棒端部分界線重合時，得到當前爆珠的密度值標記為當前爆珠的初始密度值；若當前爆珠的初始密度值小于或等于當前爆珠緊鄰的爆珠設計區間內最鄰近的一個檢測單元的密度值，則當前爆珠的設計區間自重合的分界線起減少，直到密度值出現拐點，在縮減后的設計區域內重新找出密度最大值，若新計算爆珠密度最大值所在檢測單元不位于設計區域另一非濾棒端部分界線，就以新計算爆珠密度最大值作為當前爆珠密度；若新計算爆珠密度所在檢測單元位于設計區域另一非濾棒端部分界線，且此分界線緊鄰的另一爆珠設計區域的分界線所在檢測單元的密度大于新計算爆珠密度，按上述方法繼續縮減爆珠設計區域并計算爆珠密度；上述緊鄰爆珠設計區域的爆珠密度為上述緊鄰一個檢測單元的密度值時，上述緊鄰爆珠設計區域的爆珠密度雖在非濾棒端部分界線上，但不再重新計算。

5.如權利要求4所述的一種測定爆珠濾棒中爆珠缺失的方法，其特征在于，根據濾棒中每顆爆珠的設計位置劃分出爆珠的設計區間的具體過程為：

當爆珠設計位置位于濾棒端部時，把該爆珠所鄰近端部起，至該爆珠設計位置與與其相鄰的第一個爆珠設計位置的中間位置作為該爆珠的設計區間；

當爆珠設計位置不位于濾棒端部時，選取該爆珠設計位置與其兩側分別相鄰的第一個爆珠設計位置的中間點，兩個中間點位置之間的所有測量單元作為該爆珠的設計區間。

6.如權利要求4所述的一種測定爆珠濾棒中爆珠缺失的方法，其特征在于，檢測單元的長度小于爆珠的球心半徑。

7.如權利要求1所述的一種測定爆珠濾棒中爆珠缺失的方法，其特征在于，利用微波諧振法測量每支濾棒的所有預設檢測單元的密度。