[發明專利]氣體存儲罐、沉積系統和制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 201910163957.0
• 申請日: 2019-03-05
• 公開（公告）號: CN110349849A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 韓鉛沃;鄭元雄;樸金錫;樸判貴;柳廷昊;趙潤貞;孔炳九;金美柾;李真旭;張彰恩
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;愛思開新材料有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/316;H01L21/318;C23C16/455;F17C1/04;F17D1/02;F17D3/01
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強

1.一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

將存儲一氯硅烷的氣體存儲罐設置在氣體供應單元內；以及

將一氯硅烷從氣體存儲罐供應到處理腔室中以在處理腔室中形成含硅層，

其中，氣體存儲罐包括錳。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，將鈍化部設置在氣體存儲罐的內表面上，并且

其中，一氯硅烷接觸氣體存儲罐內的鈍化部。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，鈍化部包括一氯硅烷和/或一氯硅烷的衍生物。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，存儲在氣體存儲罐中的一氯硅烷具有99.90vol％至100vol％的純度。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，氣體供應單元還包括至少部分地圍繞氣體存儲罐的機殼，并且

其中，在形成含硅層期間，機殼內的溫度保持在-45攝氏度至10攝氏度的范圍內。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，機殼包括溫度控制裝置。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，氣體供應單元還包括設置在機殼外部的溫度控制裝置，溫度控制裝置被構造為保持機殼內的溫度。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，氣體存儲罐包括：

外罐；以及

內罐，設置在外罐的內表面內并與外罐的內表面接觸，

其中，內罐的錳含量大于外罐的錳含量。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，氣體存儲罐的錳含量在1wt％至26wt％的范圍內。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，氣體存儲罐還包括鐵、硅、碳、磷和/或硫。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，將一氯硅烷供應到處理腔室中的步驟包括：

將一氯硅烷從氣體存儲罐傳送到氣體供應管中，

其中，氣體供應管包括錳。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，一氯硅烷以液化氣態存儲在氣體存儲罐中。

13.一種沉積系統，所述沉積系統包括：

處理腔室；以及

氣體供應單元，設置在處理腔室的外部，氣體供應單元被構造為將一氯硅烷供應到處理腔室中，

其中，氣體供應單元包括被構造為容納氣體存儲罐的機殼，

其中，氣體存儲罐包括錳，并且

其中，氣體存儲罐在其中包含一氯硅烷。

14.根據權利要求13所述的沉積系統，其中，鈍化部至少部分地覆蓋氣體存儲罐的內表面。

15.根據權利要求14所述的沉積系統，其中，鈍化部至少部分地覆蓋氣體存儲罐的內表面的上部并且至少部分地覆蓋氣體存儲罐的內表面的下部。

16.根據權利要求13所述的沉積系統，所述沉積系統還包括：

氣體供應管，使氣體供應單元連接到處理腔室，

其中，氣體供應管包括錳。

17.根據權利要求16所述的沉積系統，其中，氣體供應管包括：

外管；以及

內管，設置在外管的內表面內，并與外管的內表面接觸，

其中，內管的錳含量大于外管的錳含量。

18.根據權利要求13所述的沉積系統，其中，氣體供應單元還包括冷卻裝置。