[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件以及使用標準化載體形成嵌入式晶片級芯片尺寸封裝的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910163351.7 | 申請日： | 2013-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN110085557B | 公開（公告）日： | 2023-09-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 韓丙濬;沈一權(quán);林耀劍;P.C.馬里穆圖 | 申請（專利權(quán)）人： | 星科金朋私人有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/28 | 分類號： | H01L23/28;H01L21/56;H01L23/00;H01L25/065;H01L21/78;H01L23/485;H01L23/31;H10B80/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孫鵬;陳嵐 |
| 地址： | 新加坡*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 以及 使用 標準化 載體 形成 嵌入式 晶片 芯片 尺寸 封裝 方法 | ||
1.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括：
提供第一半導(dǎo)體晶片，其包括基底襯底材料和形成在所述基底襯底材料中的第一數(shù)目的半導(dǎo)體管芯；
提供第二半導(dǎo)體晶片，其包括多個半導(dǎo)體管芯；
從第一半導(dǎo)體晶片和第二半導(dǎo)體晶片單切半導(dǎo)體管芯，其中所述基底襯底材料的一部分保留在每個半導(dǎo)體管芯側(cè)面上；
提供標準化載體；
將第一數(shù)目的半導(dǎo)體管芯設(shè)置在所述標準化載體上；
將多個半導(dǎo)體管芯的一部分設(shè)置在所述標準化載體上；
將密封劑沉積在所述半導(dǎo)體管芯和標準化載體上；以及
通過所述密封劑和所述基底襯底材料進行單切以形成半導(dǎo)體封裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在從第一半導(dǎo)體晶片和第二半導(dǎo)體晶片單切半導(dǎo)體管芯之后并且在通過所述密封劑進行單切之前在所述半導(dǎo)體管芯上形成堆積的互連結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括在密封劑的前表面被定向成朝向標準化載體的情況下沉積密封劑，其中形成堆積的互連結(jié)構(gòu)包括使得半導(dǎo)體管芯之間的密封劑的前表面的一部分從堆積的互連結(jié)構(gòu)暴露。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中堆積的互連結(jié)構(gòu)接觸密封劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中堆積的互連結(jié)構(gòu)是扇入式堆積的互連結(jié)構(gòu)。
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