[發(fā)明專利]基于周期性亞波長圓環(huán)孔陣列的表面等離子體濾光器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910162119.1 | 申請日： | 2019-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN109683219A | 公開（公告）日： | 2019-04-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王新林;文奎;羅曉清;易建基;陳志勇;朱衛(wèi)華 | 申請（專利權(quán)）人： | 南華大學(xué) |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00;G02B5/20;G02B6/122;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 衡陽市科航專利事務(wù)所 43101 | 代理人： | 鄒小強(qiáng) |
| 地址： | 421001 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 表面等離子體 金屬薄膜 透光單元 濾光器 復(fù)數(shù) 圓環(huán) 電介質(zhì) 亞波長 圓環(huán)孔 基底 圓孔 周期性陣列 后續(xù)光路 寬度相等 外加磁場 性能參數(shù) 應(yīng)用環(huán)境 制作工藝 電場 同心的 信號光 波段 功耗 光譜 無泵 貫穿 優(yōu)化 | ||
1.基于周期性亞波長圓環(huán)孔陣列的表面等離子體濾光器，其特征是：包括電介質(zhì)基底和設(shè)于電介質(zhì)基底上的產(chǎn)生表面等離子體的金屬薄膜，金屬薄膜上設(shè)有復(fù)數(shù)個透光單元，所述的透光單元包括一個貫穿金屬薄膜厚度方向的圓孔和多個與所述圓孔同心的圓環(huán)，所述的復(fù)數(shù)個透光單元周期性陣列排列。
2.如權(quán)利要求1所述的基于周期性亞波長圓環(huán)孔陣列的表面等離子體濾光器，其特征是：所述的電介質(zhì)基底的電介質(zhì)材料為石英或苯并環(huán)丁烯，所述電介質(zhì)的厚度為175nm-225nm；所述的金屬薄膜的材料為銀或金，所述金屬薄膜的厚度為50nm-150nm。
3.如權(quán)利要求1所述的基于周期性亞波長圓環(huán)孔陣列的表面等離子體濾光器，其特征是：所述透光單元數(shù)量不小于9，復(fù)數(shù)個所述的透光單元排列形成的陣列的形狀為正方形或長方形，復(fù)數(shù)個所述的透光單元的排列周期為500nm-700nm。
4.如權(quán)利要求1所述的基于周期性亞波長圓環(huán)孔陣列的表面等離子體濾光器，其特征是：所述的圓孔半徑為0-100nm，所述的圓環(huán)的數(shù)量為三個以上；所述圓孔與其最接近的圓環(huán)之間的間距為0-100nm，復(fù)數(shù)個所述圓環(huán)之間的間距相等，所述圓環(huán)的寬度為25-55nm。
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