[發明專利]微型發光二極管顯示面板及其制造方法在審
| 申請號: | 201910161729.X | 申請日: | 2019-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN111653660A | 公開(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發明(設計)人: | 李曉偉 | 申請(專利權)人: | 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/62 | 分類號: | H01L33/62;H01L25/075;H01L21/607 |
| 代理公司: | 廣東君龍律師事務所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型 發光二極管 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一種微型發光二極管顯示面板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
提供一基板和多個微型發光二極管晶粒,每一所述微型發光二極管晶粒上用作鍵合于所述基板的表面均設置有金屬結構;
將所述多個微型發光二極管晶粒轉移至所述基板上,所述金屬結構位于所述微型發光二極管晶粒和所述基板之間;
利用超聲波焊接,使所述微型發光二極管晶粒通過所述金屬結構鍵合于所述基板上。
2.根據權利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述利用超聲波焊接,使所述微型發光二極管晶粒通過所述金屬結構鍵合于所述基板上,包括:
對所述微型發光二極管晶粒施加壓力及預定功率的超聲波,以使所述微型發光二極管晶粒鍵合于所述基板上。
3.根據權利要求2所述的制造方法,其特征在于,施加壓力為0.01~100N,預定功率為1~100W。
4.根據權利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述提供一基板和多個微型發光二極管晶粒,包括:
所述基板上定義有陣列排布的多個像素區;
所述將所述多個微型發光二極管晶粒轉移至所述基板上,包括:
每一所述微型發光二極管晶粒轉移至對應的一像素區。
5.根據權利要求4所述的制造方法,其特征在于,
所述將所述多個微型發光二極管晶粒轉移至所述基板上包括:
將所述多個微型發光二極管晶粒中的至少兩個同時轉移至所述基板;
所述利用超聲波焊接,使所述微型發光二極管晶粒通過所述金屬結構鍵合于所述基板上,包括:
利用超聲波焊接,使所述多個微型發光二極管晶粒中的至少兩個同時鍵合于所述基板上。
6.根據權利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述將所述多個微型發光二極管晶粒中的至少兩個同時轉移至所述基板,包括:
將所述多個微型發光二極管晶粒中第一數量的微型發光二極管晶粒同時轉移至所述基板上,其中轉移至所述基板上的每兩相鄰微型發光二極管晶粒之間間隔第二數量的像素區;或
將同一發光顏色的所述微型發光二極管晶粒同時轉移至所述基板上。
7.根據權利要求4所述的制造方法,其特征在于,所述將多個所述微型發光二極管晶粒轉移至所述基板上,包括:
利用真空吸嘴吸附所述微型發光二極管晶粒未設置金屬結構的表面;
移動所述真空吸嘴,將所述微型發光二極管晶粒轉移至所述基板上。
8.根據權利要求7所述的制造方法,其特征在于,所述將多個所述微型發光二極管晶粒轉移至所述基板上,包括:
利用陣列排布的多個真空吸嘴吸附多個所述微型發光二極管晶粒;
移動所述多個真空吸嘴,以同時將多個所述微型發光二極管轉移至對應的像素區。
9.根據權利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述金屬結構為金屬凸點,所述金屬凸點采用的材料包括金、銀、銅或鋁。
10.一種微型發光二極管顯示面板,其特征在于,所述微型發光二極管顯示面板包括基板和多個微型發光二極管晶粒,所述多個微型發光二極管晶粒通過超聲波焊接鍵合于所述基板上。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司,未經昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910161729.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





