[發明專利]一種晶錠生長爐及生長碲化鉍晶錠的方法

有效

• 申請號: 201910161377.8
• 申請日: 2019-03-04
• 公開（公告）號: CN109680336B
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發明（設計）人: 金應榮;賀毅;張勤勇;廖榆文;陳巧;彭潘;王浚臣;王夢嘉;杜輝;楊陽;陳英
• 申請（專利權）人: 西華大學
• 主分類號: C30B29/46
• 分類號: C30B29/46;C30B11/00
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 倪靜

1.一種晶錠生長爐，其特征在于，包括低溫管式加熱裝置、端面加熱裝置以及高溫管式加熱裝置，所述端面加熱裝置具有相對的加熱側和冷卻側，所述加熱側設置有用于提供熱量的加熱件，所述高溫管式加熱裝置設置在所述加熱側，所述低溫管式加熱裝置設置在所述冷卻側，所述低溫管式加熱裝置、所述端面加熱裝置以及所述高溫管式加熱裝置沿同一直線設置，所述低溫管式加熱裝置與所述端面加熱裝置固定連接，所述高溫管式加熱裝置與所述端面加熱裝置間隔設置并形成散熱空腔；所述低溫管式加熱裝置和所述高溫管式加熱裝置均呈圓柱狀，所述端面加熱裝置呈圓盤狀。

2.根據權利要求1所述的晶錠生長爐，其特征在于，所述晶錠生長爐還包括爐體支撐裝置，所述低溫管式加熱裝置、所述端面加熱裝置以及所述高溫管式加熱裝置均容置在所述爐體支撐裝置內。

3.根據權利要求1所述的晶錠生長爐，其特征在于，所述高溫管式加熱裝置的端面與所述端面加熱裝置之間的距離為100mm-300mm。

4.根據權利要求1-3任一項所述的晶錠生長爐，其特征在于，所述低溫管式加熱裝置具有低溫加熱爐膛，所述高溫管式加熱裝置具有高溫加熱爐膛，所述低溫加熱爐膛和所述高溫加熱爐膛的直徑相同，且所述低溫加熱爐膛的中心線和所述高溫加熱爐膛的中心線重合。

5.根據權利要求4所述的晶錠生長爐，其特征在于，所述端面加熱裝置的中心開設有過孔，所述過孔的直徑與所述低溫加熱爐膛的直徑相同，且所述過孔的中心線與所述低溫加熱爐膛的中心線重合。

6.根據權利要求1-3任一項所述的晶錠生長爐，其特征在于，所述低溫管式加熱裝置的外徑與所述高溫管式加熱裝置的外徑相同，所述端面加熱裝置的外徑與所述低溫管式加熱裝置的外徑相同。

7.一種利用如權利要求1-6任一項所述的晶錠生長爐生長碲化鉍晶錠的方法，其特征在于，所述生長碲化鉍晶錠的方法包括：

將所述低溫管式加熱裝置的溫度設置在540-570℃；

將所述端面加熱裝置的溫度設置在595-630℃；

將所述高溫管式加熱裝置的溫度設置在595-630℃；

將盛有碲化鉍原料的坩堝依次通過所述高溫管式加熱裝置和所述端面加熱裝置后進入所述低溫管式加熱裝置。

8.一種利用如權利要求1-6任一項所述的晶錠生長爐生長碲化鉍晶錠的方法，其特征在于，所述生長碲化鉍晶錠的方法包括：

將所述低溫管式加熱裝置的溫度設置在540-570℃；

將所述端面加熱裝置的溫度設置在595-630℃；

將所述高溫管式加熱裝置的溫度設置在540-570℃；

將盛有碲化鉍原料的坩堝依次通過所述高溫管式加熱裝置和所述端面加熱裝置后進入所述低溫管式加熱裝置。

9.根據權利要求8所述的生長碲化鉍晶錠的方法，其特征在于，在所述將所述高溫管式加熱裝置的溫度設置在540-570℃的步驟之前，還包括以下步驟：

將所述高溫管式加熱裝置和所述低溫管式加熱裝置均水平放置。