[發明專利]一種C-3位烷基取代香豆素衍生物的合成方法有效
| 申請號: | 201910161315.7 | 申請日: | 2019-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN109761943B | 公開(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發明(設計)人: | 孫彬;金燦;顏志陽 | 申請(專利權)人: | 浙江工業大學 |
| 主分類號: | C07D311/12 | 分類號: | C07D311/12;C07D311/14;C07D311/16;C07D311/18 |
| 代理公司: | 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 周紅芳 |
| 地址: | 310014 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 烷基 取代 香豆素 衍生物 合成 方法 | ||
本發明公開了一種C?3位烷基取代香豆素衍生物的合成方法,它將式(I)所示的香豆素衍生物、式(II)所示的
技術領域
本發明涉及一種C-3位烷基取代香豆素衍生物的合成方法。
背景技術
香豆素衍生物是一類重要的天然化合物,廣泛存在于植物界中。研究表明,香豆素類化合物具有良好的生物活性,在抗菌、抗炎、抗癌、抗HIV病毒方面有顯著效果,在醫藥領域有著廣泛的應用。此外,香豆素類化合物良好的光學性能也使其在有機光材料領域有著重要的地位。近年來,3-位取代的香豆素類衍生物合成得到了廣泛關注,并已取得了一定的進展。
現有的3-位取代的香豆素類衍生物合成方法主要包括以下幾種:通過兩組分或者多組分成環得到烷基化的香豆素,通過金屬鈀催化在香豆素C-3上引入烯烴或者芳烴,通過金屬鐵或鈷催化在香豆素C-3位引入環烷烴和醚;以TBHP做氧化劑,無金屬催化實現香豆素C-3的烷基化。上述報道的香豆素C-3官能化的方法往往需要較高的反應溫度,條件苛刻,能耗大。另外,現有的方法只能在香豆素C-3上引入芳基、烯基、環烷基和醚類自由基,對難度更大的飽和直鏈烷基則并不適用,底物存在一定的局限性。
光化學反應作為近年來綠色化學發展的一個重要方向,避免了傳統熱化學中的高溫高壓等苛刻條件,而且其兼具了原子經濟性及催化高效性等特點,已成為近年來有機合成領域的研究熱點之一。
發明內容
針對現有技術存在的上述技術問題,本發明的目的在于提供一種簡便、高效、安全、環保的C-3位烷基取代香豆素衍生物的合成方法。
所述的一種式(III)所示的C-3位烷基取代香豆素衍生物的合成方法,其特征在于將式(I)所示的香豆素衍生物、式(II)所示的N-烷酰氧基鄰苯二甲酰亞胺類化合物、光催化劑和質子酸溶于有機溶劑中,在可見光照射下,于20-60℃溫度下反應3-36h,反應結束后,反應體系經后處理得到式(III)所示的C-3位烷基取代香豆素衍生物目標產物;反應式如下:
式(I)和式(III)中,取代基R1為H、甲基、甲氧基、氟、氯或溴;
式(II)和式(III)中,取代基R2為C1-C8的直鏈烷基或環烷基。
所述的一種C-3位烷基取代香豆素衍生物的合成方法,其特征在于式(II)所示的N-烷酰氧基鄰苯二甲酰亞胺類化合物與式(I)所示的香豆素衍生物的物質的量之比為1~4:1,優選為1~2:1。
所述的一種C-3位烷基取代香豆素衍生物的合成方法,其特征在于式(I)所示的香豆素衍生物與光催化劑的物質的量之比為1:0.01~0.1,優選為1:0.01~0.05。
所述的一種C-3位烷基取代香豆素衍生物的合成方法,其特征在于所述的光催化劑為Ir(ppy)3。
所述的一種C-3位烷基取代香豆素衍生物的合成方法,其特征在于所述的質子酸為三氟乙酸或三氟甲磺酸,優選為三氟乙酸。
所述的一種C-3位烷基取代香豆素衍生物的合成方法,其特征在于所述的質子酸與式(I)所示的香豆素衍生物的物質的量之比為0.2~1:1,優選為0.4~1:1。
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