[發明專利]天線的封裝結構及封裝方法

在審

• 申請號: 201910160337.1
• 申請日: 2019-03-04
• 公開（公告）號: CN109768031A
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: 陳彥亨;林正忠
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L23/66
• 分類號: H01L23/66;H01L23/31;H01L21/56;H01Q1/22
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種天線的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括：

重新布線層，所述重新布線層包括第一面以及相對的第二面；

第一金屬饋線柱，形成于所述重新布線層的第二面上；

天線電路芯片，結合于所述重新布線層的第二面，并通過所述重新布線層與所述第一金屬饋線柱連接；

第一封裝層，包覆所述第一金屬饋線柱及所述天線電路芯片，且其頂面顯露所述第一金屬饋線柱；

第一天線金屬層，形成于所述第一封裝層上，所述第一天線金屬層與所述第一金屬饋線柱連接；

第二金屬饋線柱，形成于所述第一天線金屬層上；

第二封裝層，包覆所述第二金屬饋線柱，且其頂面顯露所述第二金屬饋線柱；

第二天線金屬層，形成于所述第二封裝層上，所述第二天線金屬層與所述第二金屬饋線柱連接；

金屬凸塊，形成于所述重新布線層的第一面，以實現所述重新布線層的電性引出。

2.根據權利要求1所述的天線的封裝結構，其特征在于：所述第二天線金屬層上還包括若干堆疊的天線結構，所述天線結構包括：

第三金屬饋線柱，形成于所述第二天線金屬層上；

第三封裝層，包覆所述第三金屬饋線柱，且其頂面顯露所述第三金屬饋線柱；

第三天線金屬層，形成于所述第三封裝層上，所述第三天線金屬層與所述第三金屬饋線柱連接。

3.根據權利要求2所述的天線的封裝結構，其特征在于：堆疊在所述第二天線金屬層上所述天線結構的個數介于1～5個。

4.根據權利要求1所述的天線的封裝結構，其特征在于：所述第一金屬饋線柱及第二金屬饋線柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一種。

5.根據權利要求1所述的天線的封裝結構，其特征在于：所述第一封裝層及第二封裝層的材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環氧樹脂中的一種。

6.權利要求1所述的天線的封裝結構，其特征在于：所述天線電路芯片包括主動組件及被動組件中的一種或兩種，其中所述主動組件包括電源管理電路、發射電路及接收電路中的一種，所述被動組件包括電阻、電容及電感中的一種。

7.根據權利要求1所述的天線的封裝結構，其特征在于：所述金屬凸塊包括錫焊料、銀焊料及金錫合金焊料中的一種。

8.一種天線的封裝方法，其特征在于，所述封裝方法包括步驟：

1)提供一支撐基底，于所述支撐基底上形成分離層；

2)于所述分離層上形成重新布線層，所述重新布線層包括與所述分離層連接的第一面以及相對的第二面；

3)于所述重新布線層的第二面上形成第一金屬饋線柱；

4)提供一天線電路芯片，將所述天線電路芯片接合于所述重新布線層的第二面，使得所述天線電路芯片通過所述重新布線層與所述第一金屬饋線柱連接；

5)采用第一封裝層封裝所述第一金屬饋線柱，減薄所述第一封裝層，以顯露所述第一金屬饋線柱；

6)于所述第一封裝層上形成第一天線金屬層，所述第一天線金屬層與所述第一金屬饋線柱連接；

7)于所述第一天線金屬層上形成第二金屬饋線柱；

8)采用第二封裝層封裝所述第二金屬饋線柱，減薄所述第二封裝層，以顯露所述第二金屬饋線柱；

9)于所述第二封裝層上形成第二天線金屬層，所述第二天線金屬層與所述第二金屬饋線柱連接；

10)基于所述分離層剝離所述重新布線層及所述支撐基底，露出所述重新布線層的第一面；

11)于所述重新布線層的第一面形成金屬凸塊，以實現所述重新布線層的電性引出。

9.根據權利要求8所述的天線的封裝方法，其特征在于：步驟9)～步驟10)之間還包括：重復進行步驟7)～步驟9)，以形成多層堆疊的天線結構。

10.根據權利要求8所述的天線的封裝方法，其特征在于：所述重復的次數介于1～5次。