[發明專利]一種太陽能電池及其制造方法

有效

• 申請號: 201910160007.2
• 申請日: 2019-03-04
• 公開（公告）號: CN109888058B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 殷涵玉;何勝;黃海燕;陸川
• 申請（專利權）人: 浙江正泰太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/068
• 代理公司: 北京元合聯合知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11653
• 代理人: 李非非;楊興宇

1.一種太陽能電池的制造方法，該制造方法包括如下步驟：

a1、提供硅襯底并在該硅襯底的表面形成絨面結構，其中，所述硅襯底正面用于印刷正面電極的正面電極區包括第一中心區域和第一兩側區域；

a2、在所述第一中心區域的部分或全部區域內形成第一重摻雜區、在所述第一兩側區域的部分區域內形成第二重摻雜區、以及在所述硅襯底正面位于所述第一重摻雜區和所述第二重摻雜區之外的其他區域內形成第一輕摻雜區，其中，所述第一重摻雜區、所述第二重摻雜區和第一輕摻雜區中摻雜雜質的類型與所述硅襯底的類型相反，所述第一重摻雜區的表面摻雜濃度大于所述第二重摻雜區的表面摻雜濃度；或者，在所述第一中心區域的部分或全部區域內形成第一重摻雜區，在所述第一兩側區域的全部區域內形成第二重摻雜區、以及在所述硅襯底正面位于所述第一重摻雜區和所述第二重摻雜區之外的其他區域內形成第一輕摻雜區，其中，所述第一重摻雜區、所述第二重摻雜區和第一輕摻雜區中摻雜雜質的類型與所述硅襯底的類型相反，所述第一重摻雜區的表面摻雜濃度大于所述第二重摻雜區的表面摻雜濃度；

a3、在所述硅襯底的所述正面形成減反射層；

a4、在所述硅襯底上形成正面電極和背面電極，其中，所述正面電極透過所述減反射層與所述正面電極區形成歐姆接觸，所述背面電極與所述硅襯底的背面形成歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述步驟a2包括：

a21、對所述硅襯底進行擴散以實現所述硅襯底正面的輕摻雜，以擴散后在所述硅襯底正面所形成的第一玻璃中的雜質為摻雜源，利用激光摻雜的方式對所述第一中心區域的部分或全部區域進行重摻雜以形成第一重摻雜區、以及對所述第一兩側區域的部分區域進行重摻雜以形成第二重摻雜區，所述硅襯底正面位于所述第一重摻雜區和所述第二重摻雜區之外的區域為第一輕摻雜區，其中，所述第一重摻雜區的表面摻雜濃度大于所述第二重摻雜區的表面摻雜濃度；又或者對所述硅襯底進行擴散以實現硅襯底正面的輕摻雜，以擴散后在所述硅襯底正面所形成的第一玻璃中的雜質為摻雜源，利用激光摻雜的方式對所述第一中心區域的部分區域或全部進行重摻雜以形成第一重摻雜區、以及對所述第一兩側區域的全部區域進行重摻雜以形成第二重摻雜區，所述硅襯底正面位于所述第一重摻雜區和所述第二重摻雜區之外的區域為第一輕摻雜區，其中，所述第一重摻雜區的表面摻雜濃度大于所述第二重摻雜區的表面摻雜濃度；

a22、去除擴散在所述硅襯底表面形成的第一玻璃以及周邊的PN結。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其中：

所述第一重摻雜區的表面摻雜濃度的范圍是6×10²⁰cm^-3至9×10²¹cm^-3；

所述第二重摻雜區的表面摻雜濃度的范圍是5×10²⁰cm^-3至8×10²¹cm^-3。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其中：

所述正面電極區的寬度是所述正面電極寬度的3倍至5倍；

所述正面電極區的第一中心區域的寬度是所述正面電極寬度的1倍至2倍。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其中：

所述第一重摻雜區包括多個第一摻雜單元，該多個第一摻雜單元離散地分布在所述第一中心區域內。

6.根據權利要求5所述的制造方法，其中，所述第一摻雜單元的形狀是圓形、矩形、環形、三角形或不規則形狀。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其中：

所述第二重摻雜區包括多個第二摻雜單元，該多個第二摻雜單元離散地分布在所述第一兩側區域內。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其中，所述第二摻雜單元的形狀是圓形、矩形、環形、三角形或不規則形狀。

9.根據權利要求7所述的制造方法，其中，所述多個第二摻雜單元的排列密度隨著遠離所述第一中心區域的方向減小。