[發明專利]制備多晶陶瓷膜的方法有效
| 申請號： | 201910159284.1 | 申請日： | 2013-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN110079765B | 公開（公告）日： | 2021-08-17 |
| 發明（設計）人： | M.施雷特;W.維爾興 | 申請（專利權）人： | 西門子公司 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/08;C23C14/34;H01L41/316;H03H3/02 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 石克虎;楊戩 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 多晶 陶瓷膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.在基材（10）的表面（12）上制備多晶陶瓷膜的方法，其中在表面（12）上導入粒子流并且通過所述粒子在表面（12）上的沉積而形成所述陶瓷膜，其中借助隔板沿著優選方向在表面（12）上導入所述粒子流直到達到第一預定層厚度，該優選方向與表面（12）的平面法線形成了預定的入射角，
其特征在于，
在達到預定的層厚度之后，將所述隔板從粒子流中移除，并且在表面（12）上不定向地導入另外的粒子直到達到第二預定層厚度，其中晶種層的晶體在不定向的粒子導入時也沿著已經預定的優選取向繼續生長。
2.權利要求1的方法，其特征在于，所述預定入射角選自0-90°的范圍。
3.權利要求1的方法，其特征在于，所述預定入射角選自10-30°的范圍。
4.權利要求1或2的方法，其特征在于，所述第一預定層厚度為50至150 nm。
5.權利要求1或2的方法，其特征在于，所述第一預定層厚度為100 nm。
6.權利要求1或2的方法，其特征在于，所述第二預定層厚度為450至600 nm。
7.權利要求1或2的方法，其特征在于，所述第二預定層厚度為540 nm。
8.權利要求1或2的方法，其特征在于，使用由ZnO和/或AlN構成的粒子作為所述粒子。
9.權利要求1或2的方法，其特征在于，所述粒子流通過濺射提供。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西門子公司，未經西門子公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910159284.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
