[發(fā)明專利]一種柔性壓敏傳感器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910156233.3 | 申請日： | 2019-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN109799014A | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉明;王志廣;胡忠強;周子堯;胡超杰;蘇瑋 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安交通大學(xué) |
| 主分類號： | G01L1/22 | 分類號： | G01L1/22 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人： | 徐文權(quán) |
| 地址： | 710049 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 壓敏薄膜 襯底 壓敏傳感器 保護(hù)層 上表面 電極 制備 電極間隔 柔性壓力 室溫沉積 傳感器 傳感 有壓 薄膜 覆蓋 應(yīng)用 | ||
1.一種柔性壓敏傳感器，其特征在于，包括柔性襯底(60)、電極(80)、壓敏薄膜(90)和保護(hù)層(100)；若干電極(80)間隔設(shè)置在柔性襯底(60)的上表面，柔性襯底(60)和電極(80)上表面覆蓋有壓敏薄膜(90)；壓敏薄膜(90)上設(shè)置有一層保護(hù)層(100)。
2.一種柔性壓敏傳感器的制備方法，其特征在于，基于權(quán)利要求1所述的一種柔性壓敏傳感器，包括以下步驟：
步驟1，清洗柔性襯底；
步驟2，在柔性襯底上旋涂一層負(fù)性光刻膠作為犧牲層；
步驟3，在烘箱中對所述柔性襯底及犧牲層進(jìn)行烘烤，烘烤時間為120s，最佳烘烤溫度范圍為100℃-120℃；
步驟4，在設(shè)計好的掩膜版下對所述犧牲層進(jìn)行紫外曝光以定義出電極位置；
步驟5，在烘箱中對所述柔性襯底及犧牲層進(jìn)行烘烤；
步驟6，室溫下用顯影液對所述犧牲層進(jìn)行顯影，顯影時間范圍為120s-180s；
步驟7，將所述柔性襯底放入磁控濺射儀中進(jìn)行底電極的生長；
步驟8，對所述柔性襯底進(jìn)行去膠處理，除去犧牲層；
步驟9，在烘箱中對所述去膠后的柔性襯底和底電極進(jìn)行烘烤；
步驟10，用磁控濺射儀在所述柔性襯底和底電極上生長一層GST壓敏薄膜材料；
步驟11，最后在壓敏薄膜上覆蓋一層保護(hù)材料來進(jìn)行封裝操作作為保護(hù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種柔性壓敏傳感器的制備方法，其特征在于，步驟2中，使用勻膠機在柔性襯底上旋涂一層負(fù)性光刻膠作為犧牲層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種柔性壓敏傳感器的制備方法，其特征在于，步驟7中，濺射氛圍為純度為99.998％的氬氣，壓力為3mTorr，進(jìn)行磁控濺射時所用靶材可為Cu或Pt導(dǎo)電優(yōu)良的金屬。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種柔性壓敏傳感器的制備方法，其特征在于，步驟10中，濺射氛圍為純度為99.998％的氬氣，壓力為3mTorr，進(jìn)行磁控濺射時所用的靶材是純度為99.9％的Ge2Sb2Te5；壓敏薄膜的厚度范圍為10～100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種柔性壓敏傳感器的制備方法，其特征在于，柔性襯底為PET或PEN或PMMA。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種柔性壓敏傳感器的制備方法，其特征在于，保護(hù)材料為聚對二甲苯。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安交通大學(xué)，未經(jīng)西安交通大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910156233.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
