[發明專利]在任意基底上制備光電器件的方法及光電器件

在審

• 申請號: 201910153809.0
• 申請日: 2019-03-01
• 公開（公告）號: CN109742247A
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: 葛文奇;田清勇;蔡龍華;范斌;劉秋菊;陳偉中
• 申請（專利權）人: 蘇州協鑫納米科技有限公司
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/42
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 趙世發;王鋒

1.一種在任意基底上制備光電器件的方法，其特征在于包括：

利用第一掩膜板，并至少采用溶液法在任意基底上形成透明導電層；

利用第一掩膜板，并至少采用噴涂方式在透明導電層上噴涂形成第一傳輸層；

利用第二掩膜板，并至少采用噴涂方式在第一傳輸層上形成光電轉換層；

利用第三掩膜板，并至少采用噴涂方式在光電轉換層上形成第二傳輸層；

利用第四掩膜板，并至少采用溶液法在第二傳輸層上形成電極層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于包括：在第一傳輸層上形成兩個以上間隔排列分布的光電轉換層；和/或，所述的方法還包括：至少采用噴涂的方式在任意兩個光電轉換層之間形成絕緣膠層；和/或，所述的方法還包括：至少采用噴涂的方式在透明導電層與電極層的兩端部之間形成絕緣膠層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于包括：

1)利用第一掩膜板，并至少采用溶液法在任意基底上沉積形成透明導電層；

2)利用第一掩膜板，并至少采用噴涂方式在透明導電層上錯位噴涂形成第一傳輸層，并使第一傳輸層的第四端部覆蓋透明導電層的第二端部；

3)利用第二掩膜板，并至少采用噴涂方式在第一傳輸層上形成光電轉換層，并使所述鈣鈦礦層的第六端部與第一傳輸層的第四端部齊平；

4)利用第三掩膜板，并至少采用噴涂方式在光電轉換層上形成第二傳輸層，并使所述第二傳輸層的第七端部與光電轉換層的第五端部齊平，并使所述第二傳輸層的第八端部覆蓋光電轉換層的第六端部、第一傳輸層的第四端部，

5)利用第四掩膜板，并至少采用溶液法在第二傳輸層上沉積形成電極層，并使電極層的第十端部覆蓋第二傳輸層第八端部的部分區域；其中所述透明導電層的第二端部、第一傳輸層的第四端部、鈣鈦礦層的第六端部、第二傳輸層的第八端部和電極層的第十端部位于同一端。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于包括：將第一掩膜板在所述透明導電層的上錯位0.1-10cm后噴涂形成第一傳輸層；和/或，所述第二掩膜板的寬度小于第一掩膜板的寬度；和/或，所述第二掩膜板的寬度與第一掩膜板的寬度差為0.1-10cm；和/或，所述第三掩膜板的寬度大于第二掩膜板的寬度；和/或，所述第三掩膜板與第二掩膜板的寬度差為0.1-10cm。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于包括：制作形成兩個以上的光電器件，并使任一光電器件的電極層的第十端部與相鄰光電器件的透明導電層的第一端部連接。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于包括：先對任意基底進行清洗或者在任意基底表面形成高分子材料涂層，之后再制作形成透明導電層；和/或，所述高分子材料涂層的材質包括環氧樹脂、丙烯酸酯中的任意一種；和/或，所述的方法還包括：在電極層上制作紫外光固化膠封裝層；和/或，所述光電器件為鈣鈦礦電池，所述光電轉換層為鈣鈦礦層。

7.一種并聯結構的光電器件，其特征在于包括：依次疊層設置的透明導電層、第一傳輸層、第二傳輸層和電極層，在所述第一傳輸層和第二傳輸層之間間隔排列設置有兩個以上光電轉換層；和/或，所述透明導電層與電極層之間無直接接觸；和/或，在相鄰兩個鈣鈦礦層之間、透明導電層與電極層的兩端部之間還設置有絕緣膠層；和/或，所述光電器件為鈣鈦礦電池，所述光電轉換層為鈣鈦礦層。

8.一種串聯結構的光電器件，其特征在于：包括至少兩個以串聯形式連接的鈣鈦礦電池單元，每個所述鈣鈦礦電池單元包括依次疊層設置的透明導電層、第一傳輸層、光電轉換層、第二傳輸層和電極層，所述透明導電層的第一端部延長伸出，第二端部被所述第一傳輸層的第四端部覆蓋，所述第一傳輸層的第四端部以及光電轉換層的第六端部被所述第二傳輸層的第八端部覆蓋，所述第二傳輸層的第八端部的部分區域被所述電極層的第十端部覆蓋；以及，串聯連接的兩個鈣鈦礦電池單元中一者的電極層的第十端部還與另一者的透明導電層連接；其中所述透明導電層的第二端部、第一傳輸層的第四端部、光電轉換層的第六端部、第二傳輸層的第八端部和電極層的第十端部位于同一端。