[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910153005.0
• 申請(qǐng)日: 2019-02-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111627988B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓鵬宇;冉營(yíng)營(yíng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/40
• 分類號(hào): H01L29/40
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法。該半導(dǎo)體器件包括：襯底；位于襯底一側(cè)的半導(dǎo)體層；位于半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的源極、柵極和漏極，柵極位于源極和漏極之間；位于柵極遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層一側(cè)且位于相鄰設(shè)置的柵極與漏極之間的場(chǎng)板結(jié)構(gòu)；位于場(chǎng)板結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離柵極一側(cè)的終端連接結(jié)構(gòu)，終端連接結(jié)構(gòu)在襯底所在平面的垂直投影與場(chǎng)板結(jié)構(gòu)在襯底所在平面的垂直投影存在交疊區(qū)域；其中，終端連接結(jié)構(gòu)的一端與場(chǎng)板結(jié)構(gòu)連接，終端連接結(jié)構(gòu)的另一端與源極連接。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，可以提高半導(dǎo)體器件的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法。

背景技術(shù)

涉及帶有終端連接結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，利用終端連接實(shí)現(xiàn)將平行分布于柵極兩側(cè)的源極和場(chǎng)板金屬做等電位連接。

等電位連接可選擇在半導(dǎo)體器件有源區(qū)互聯(lián)，也可以選擇在半導(dǎo)體器件無(wú)源區(qū)避開(kāi)柵極區(qū)域進(jìn)行互聯(lián)。在半導(dǎo)體器件有源區(qū)域的互聯(lián)，普遍做法是一次掩膜一次性形成同質(zhì)的場(chǎng)板金屬、終端連接金屬和源極。

然而，同質(zhì)同層的場(chǎng)板金屬和終端連接金屬的連接處在長(zhǎng)期的環(huán)境應(yīng)力下易于損傷，進(jìn)而降低半導(dǎo)體器件的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，以實(shí)現(xiàn)提高半導(dǎo)體器件的可靠性。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底；

位于所述襯底一側(cè)的半導(dǎo)體層；

位于所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的源極、柵極和漏極，所述柵極位于所述源極和所述漏極之間；

位于所述柵極遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體層一側(cè)且位于相鄰設(shè)置的所述柵極與所述漏極之間的場(chǎng)板結(jié)構(gòu)；

位于所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述柵極一側(cè)的終端連接結(jié)構(gòu)，所述終端連接結(jié)構(gòu)在所述襯底所在平面的垂直投影與所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)在所述襯底所在平面的垂直投影存在交疊區(qū)域；

其中，所述終端連接結(jié)構(gòu)的一端與所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)連接，所述終端連接結(jié)構(gòu)的另一端與所述源極連接。

進(jìn)一步地，所述終端連接結(jié)構(gòu)至少包括一個(gè)終端連接子結(jié)構(gòu)，所述終端連接子結(jié)構(gòu)包括相互連接的場(chǎng)板連接結(jié)構(gòu)和跨橋連接結(jié)構(gòu)；

所述場(chǎng)板連接結(jié)構(gòu)與所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)連接，所述跨橋連接結(jié)構(gòu)與所述源極連接。

進(jìn)一步地，所述半導(dǎo)體器件還包括位于所述漏極遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體層一側(cè)的漏極金屬層以及位于所述源極遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體層一側(cè)的源極金屬層；

所述漏極、所述源極和所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)同層設(shè)置；

所述漏極金屬層、所述源極金屬層與所述終端連接結(jié)構(gòu)同層設(shè)置；

所述跨橋連接結(jié)構(gòu)與所述源極金屬層連接。

進(jìn)一步地，所述漏極、所述源極和所述終端連接結(jié)構(gòu)同層設(shè)置；

所述跨橋連接結(jié)構(gòu)與所述源極連接。

進(jìn)一步地，所述半導(dǎo)體器件還包括位于所述漏極與所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)之間的場(chǎng)板延伸結(jié)構(gòu)，所述場(chǎng)板延伸結(jié)構(gòu)與所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)同層設(shè)置且與所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)連接；

所述場(chǎng)板連接結(jié)構(gòu)與所述場(chǎng)板延伸結(jié)構(gòu)連接。

進(jìn)一步地，所述終端連接結(jié)構(gòu)、所述柵極以及所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)三者在襯底所在平面的垂直投影存在交疊區(qū)域。

進(jìn)一步地，所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)在所述柵極所在平面上的垂直投影與所述柵極存在交疊區(qū)域；

沿所述漏極指向所述源極的方向，所述柵極的延伸寬度為L(zhǎng)1，所述交疊區(qū)域的延伸寬度為L(zhǎng)2，1/3L1≤L2≤1/2L1。