[發明專利]顯示面板及其制備方法在審
| 申請號: | 201910152259.0 | 申請日: | 2019-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN109860260A | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發明(設計)人: | 余威 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光單元 顯示面板 顯示功能層 第二表面 第一表面 間隔設置 雙面顯示 制備 電性連接 相對設置 有效地 減小 申請 制作 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
顯示功能層,所述顯示功能層具有相對設置的第一表面和第二表面;
多個第一發光單元,多個所述第一發光單元間隔設置在所述第一表面上;
多個第二發光單元,多個所述第二發光單元間隔設置在所述第二表面上;
其中,所述第一發光單元與所述第二發光單元一一對應,且每一所述第一發光單元均與相應的所述第二發光單元電性連接,以實現雙面顯示。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,每一所述第一發光單元均包括依次層疊設置在所述第一表面上的第一陽極、第一發光層以及第一陰極;每一所述第二發光單元均包括依次層疊設置在所述第二表面上的第二陽極、第二發光層以及第二陰極;其中,每一所述第一陽極均與相應的所述第二陽極電性連接。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,每一所述第一陽極均包括依次層疊設置在所述第一表面上的第一子陽極和第二子陽極;所述第一子陽極與所述第二子陽極均與相應的所述第二陽極電性連接。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,相鄰所述第一子陽極之間相互絕緣,相鄰所述第二子陽極之間相互絕緣。
5.根據權利要求2-4任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述第一子陽極的材料為金屬反射材料。
6.根據權利要求2-4任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述第二子陽極的材料為氧化銦錫材料。
7.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示功能層包括依次層疊設置在所述第二表面上的緩沖層、薄膜晶體管層、絕緣層和平坦層,所述第二發光單元設置在所述平坦層上,且所述薄膜晶體管層與所述第二陽極電性連接,以驅動所述第一發光單元和所述第二發光單元發光。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示功能層上設置有第一通孔以及第二通孔,所述第一通孔貫穿所述平坦層以及所述絕緣層,所述第二通孔貫穿所述平坦層、所述絕緣層以及所述緩沖層;
其中,所述第二陽極延伸至所述第一通孔并與所述薄膜晶體管層電性連接,所述第二陽極延伸至所述第二通孔并與所述第一陽極電性連接。
9.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括第一像素定義層和第二像素定義層;
其中,所述第一像素定義層設置在所述第一表面上,且覆蓋部分所述第一陽極,所述第二像素定義層設置在所述顯示功能層上,且覆蓋部分第二陽極。
10.根據權利要求9所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括第一封裝層和第二封裝層;其中,所述第一封裝層設置在所述第一陰極上,且覆蓋所述第一像素定義層,所述第二封裝層設置在所述第二陰極上,且覆蓋所述第二像素定義層。
11.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括:
提供一金屬襯底;
在所述金屬襯底的一表面上依次形成顯示功能層以及多個第二發光單元;
在所述金屬襯底的另一表面上形成多個第一發光單元;
其中,所述第一發光單元與所述第二發光單元一一對應,且每一所述第一發光單元均與相應的所述第二發光單元電性連接,以實現雙面顯示。
12.根據權利要求11所述的制備方法,其特征在于,所述在所述金屬襯底的另一表面上形成多個第一發光單元的步驟,包括:
對所述金屬襯底進行圖案化處理,得到多個間隔排布的第一子陽極;
在每個所述第一子陽極上依次形成第二子陽極、第一發光層以及第一陰極,以得到多個第一發光單元。
13.根據權利要求12所述的制備方法,其特征在于,每一所述第一子陽極與每一所述第二子陽極均與相應的所述第二發光單元電性連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





