[發明專利]一種量子點發光層及其制備方法、量子點器件

有效

• 申請號: 201910152031.1
• 申請日: 2019-02-28
• 公開（公告）號: CN110010782B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 高遠;張振星;謝松均
• 申請（專利權）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288
• 代理人: 胡擁軍;糜婧

本發明公開了一種量子點發光層及其制備方法、量子點器件。其中量子點發光層包括至少一量子點復合結構，量子點復合結構包括依次設置的第一量子點層、第一高分子橋接層以及第二量子點層，或者量子點復合結構包括依次設置第一高分子橋接層、第一量子點層以及第二量子點層，第一高分子橋接層與相鄰的量子點層通過作用力連接。本發明的量子點發光層將不同功能的量子點以分層的方式結合在一起，從而可以根據實際需要分別調節量子點發光層兩側量子點的空穴注入能力和電子注入能力，將該量子點發光層應用于QLED器件時，有利于使量子點發光層的載流子注入平衡，進而提高QLED器件的效率以及壽命。

技術領域

本發明涉及量子點材料技術領域，尤其涉及一種量子點發光層及其制備方法、量子點器件。

背景技術

量子點發光二極管(QLED)是由陰極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層和陽極構成的結構，當外加電壓時，電子和空穴分別從各自電極注入，兩者復合發光。QLED由于其光譜在可見光區連續可調，寬吸收窄發射、高的色純度和發光強度等優異性能得到越來越多的關注。

最初的QLED結構中采用未包覆殼層的量子點，其量子點產率低，而且由于電荷注入不平衡引起的有機材料發光，從而導致器件的效率很低。之后為了提高QLED的性能，用核殼結構的量子點作為發光材料，其量子產率較高，器件的性能得到一定的提高，但是仍然存在載流子注入不平衡導致QLED效率降低的問題。

目前，解決電荷注入不平衡的方案有多種，例如，在電子傳輸層和發光層之間加入絕緣材料，或者引入新的電子、空穴傳輸材料，但是加入絕緣材料時，絕緣層的厚度難以控制，而尋找新的電子、空穴傳輸材料更加困難。因此，到目前為止，QLED器件電荷注入不平衡問題仍然難以找到有效的方法解決。

發明內容

為了克服現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種量子點發光層以及應用該量子點發光層的量子點器件，解決電荷注入不平衡的問題。

根據本發明的一個方面，提供一種量子點發光層，包括至少一量子點復合結構，所述量子點復合結構包括依次設置的第一量子點層、第一高分子橋接層以及第二量子點層，或者所述量子點復合結構包括依次設置第一高分子橋接層、第一量子點層以及第二量子點層，所述第一高分子橋接層與相鄰的量子點層通過作用力連接。

進一步地，所述第一高分子橋接層的材料選自以下一種或多種：聚乙氧基乙烯亞胺(PEIE)、聚乙烯亞胺(PEI)、樹枝狀聚酰胺胺(PAMAM)。

進一步地，所述第一量子點層的量子點與所述第二量子點層的量子點的發射波長相同。

進一步地，所述量子點層包括多個依次設置的所述量子點復合結構，所述量子點復合結構包括依次設置的第一量子點層、第一高分子橋接層以及第二量子點層，至少兩相鄰的所述量子點復合結構之間設置有第二高分子橋接層，所述第二高分子橋接層分別與兩側的所述量子點復合結構通過作用力連接，優選地，所述第二高分子橋接層的材料選自以下一種或多種：聚乙氧基乙烯亞胺、聚乙烯亞胺、樹枝狀聚酰胺胺。

根據本發明的另一個方面，提供一種量子點器件，包括兩功能層以及設置在兩所述功能層之間的量子點發光層，所述量子點發光層為本發明上述量子點發光層。

進一步地，兩所述功能層分別為電子傳輸層和空穴傳輸層，所述量子點發光層包括一所述量子點復合結構，所述第一量子點層靠近所述空穴傳輸層，所述第二量子點層靠近所述電子傳輸層，所述第一量子點層量子點的HOMO能級小于所述空穴傳輸層的HOMO能級，所述第二量子點層量子點的LUMO能級大于所述電子傳輸層的LUMO能級。

進一步地，所述第一量子點層量子點的HOMO及LUMO分別大于所述第二量子點層量子點的HOMO及LUMO，所述第一量子點層量子點的帶隙寬度等于所述第二量子點層量子點的帶隙寬度。