[發明專利]形成三維存儲器的方法以及三維存儲器

在審

• 申請號: 201910151716.4
• 申請日: 2019-02-28
• 公開（公告）號: CN109727995A
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 薛磊
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/115
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種三維存儲器，包括：

襯底；

經摻雜的阱區，位于所述襯底中，所述阱區與所述襯底接觸；

位于所述襯底上的堆疊層，所述堆疊層包括間隔的柵極層；

垂直穿過所述堆疊層且到達所述阱區的溝道結構，所述溝道結構包括溝道層，其中所述溝道層位于所述阱區的部分從所述溝道結構的側面露出，從而與所述阱區接觸。

2.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述溝道層從所述側面露出的部分為圓柱面。

3.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述阱區包括硅外延層，所述溝道層與所述硅外延層接觸。

4.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，還包括垂直穿過所述堆疊層的陣列共源極，所述阱區與所述陣列共源極電性連接，其中所述阱區與所述陣列共源極之間設有接觸區。

5.如權利要求3所述的三維存儲器，其特征在于，所述柵極層包括底部選擇柵，所述溝道層延伸到所述底部選擇柵的位置。

6.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述阱區為P型摻雜。

7.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述堆疊層包括一個堆棧或多個堆疊的堆棧。

8.一種形成三維存儲器的方法，包括以下步驟：

提供半導體結構，所述半導體結構具有襯底、位于所述襯底中的經摻雜的初始阱區、位于所述襯底上的犧牲層、位于所述犧牲層上的堆疊層以及垂直穿過所述堆疊層的溝道結構，其中所述初始阱區與所述襯底接觸，所述溝道結構到達所述初始阱區且具有溝道層；

形成垂直穿過所述堆疊層而到達所述犧牲層的柵線隙；

去除所述犧牲層，露出所述溝道結構在所述犧牲層的部分的側壁，在所述堆疊層與所述初始阱區之間形成間隙；

去除所述溝道結構在所述犧牲層的部分側壁厚度，露出所述溝道層的一部分；以及

將所述初始阱區擴展到所述間隙而成為最終阱區，所述最終阱區接觸所述溝道層的一部分。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述溝道層露出的部分為圓柱面。

10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，將所述初始阱區擴展到所述間隙而成為最終阱區的步驟包括：

從所述初始阱區和所述溝道層的露出的部分生長硅外延層。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，生長硅外延層的步驟中，所述硅外延層在所述柵線隙處具有凹陷。

12.如權利要求8所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述最終阱區上形成接觸區；以及

在所述柵線隙中形成陣列共源極，所述陣列共源極接觸所述接觸區。

13.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述堆疊層包括一個堆棧或多個堆疊的堆棧。

14.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述阱區為P型摻雜。