[發明專利]一種新型白光LED器件的制備方法在審
| 申請號： | 201910149693.3 | 申請日： | 2019-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN109962131A | 公開（公告）日： | 2019-07-02 |
| 發明（設計）人： | 劉舸;王優;田青;周玲;孫光東;魏曉慧 | 申請（專利權）人： | 惠州學院 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/18;H01L33/32;H01L33/00;C30B29/40;C30B23/00 |
| 代理公司： | 惠州創聯專利代理事務所(普通合伙) 44382 | 代理人： | 韓淑英 |
| 地址： | 516001 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 晶體材料 新型白光 發光 清洗 熒光粉 寬禁帶半導體 可見光區域 溶劑殘留物 圖形化電極 表面平整 單晶狀態 單一材料 發射光譜 功能材料 金屬電極 器件結構 氣相傳輸 退火處理 直接通電 功能層 電極 拋光 烘烤 水氣 白光 光色 禁帶 蒸鍍 打磨 緊湊 切割 承載 輸出 轉換 覆蓋 | ||
1.一種新型白光LED器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
制備AlN晶體材料；
對AlN晶體材料進行切割、打磨和拋光，制成表面平整的AlN薄片；
對制成的AlN薄片進行清洗，清洗后對其進行烘烤以除去表面的水氣與溶劑殘留物；
在AlN薄片上圖形化電極并蒸鍍金屬電極；
最后再進行氮氣氛下的退火處理，制成新型白光LED器件。
2.根據權利要求1所述的新型白光LED器件的制備方法，其特征在于，所述AlN晶體材料通過物理氣相傳輸法制備。
3.根據權利要求2所述的新型白光LED器件的制備方法，其特征在于，所述AlN晶體材料為鉛鋅礦結構的塊狀材料。
4.根據權利要求3所述的新型白光LED器件的制備方法，其特征在于，制備AlN晶體材料在單一的氮氣保護下進行。
5.根據權利要求1所述的新型白光LED器件的制備方法，其特征在于，清洗時依次在丙酮、酒精、去離子水中進行超聲清洗。
6.根據權利要求1或3所述的新型白光LED器件的制備方法，其特征在于，圖形化電極時，電極位于AlN薄片同側的表面。
7.根據權利要求6所述的新型白光LED器件的制備方法，其特征在于，所述AlN薄片的厚度為0.4mm~0.6mm。
8.根據權利要求6所述的新型白光LED器件的制備方法，其特征在于，所述金屬電極的材料選自鉑、銅、鋁、銦，還包括過渡材料鎳或鉻。
9.一種白光LED器件，其特征在于,包括：
作為單一發光材料的AlN薄片，其厚度為0.4mm~0.6mm且表面平整；以及
直接形成在所述AlN薄片的其中一個平整的表面上的至少兩個電極。
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