[發明專利]銻化銦薄膜太赫茲超表面及其熱調諧方法、制備方法有效
| 申請號： | 201910149416.2 | 申請日： | 2019-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN109683213B | 公開（公告）日： | 2019-09-27 |
| 發明（設計）人： | 楊大全;張超;李小剛;蘭楚文 | 申請（專利權）人： | 北京郵電大學 |
| 主分類號： | G02B1/00 | 分類號： | G02B1/00;G02F1/00 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 張函;王春偉 |
| 地址： | 100876 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 銻化銦薄膜 調諧 共振頻率 制備 表面設置 表面制備 光電制造 介電常數 矩形基板 三層結構 太赫茲波 結構層 柱陣列 應用 | ||
1.一種基于銻化銦薄膜的太赫茲超表面，其特征在于，包括：矩形基板層，柱陣列結構層，以及銻化銦薄膜，其中，所述柱陣列結構層中的各柱狀陣列結構體排列于所述矩形基板層上，所述銻化銦薄膜覆蓋于所述柱狀陣列結構體的上表面以及所述矩形基板層的上表面。
2.根據權利要求1所述的基于銻化銦薄膜的太赫茲超表面，其特征在于，所述矩形基板層的材料為聚二甲基硅氧烷，所述柱陣列結構層的材料為硅。
3.根據權利要求2所述的基于銻化銦薄膜的太赫茲超表面，其特征在于，所述矩形基板層的厚度為6～10μm；所述柱狀陣列結構體的半徑為60～70μm，所述柱狀陣列結構體的厚度為55～65μm；所述銻化銦薄膜的厚度為110～600nm。
4.根據權利要求1-3任一項所述的基于銻化銦薄膜的太赫茲超表面，其特征在于，所述太赫茲超表面的共振頻率隨溫度升高而增加。
5.根據權利要求1-3任一項所述的基于銻化銦薄膜的太赫茲超表面，其特征在于，所述太赫茲超表面的共振頻率隨所述銻化銦薄膜厚度的增加而增加。
6.一種基于銻化銦薄膜的太赫茲超表面的熱調諧方法，應用于如權利要求1-5任一項所述的基于銻化銦薄膜的太赫茲超表面，其特征在于，包括：
將所述太赫茲超表面加熱至不同的溫度；
利用太赫茲波照射處于不同溫度下的所述太赫茲超表面，得到不同的共振頻率；
基于所述不同的共振頻率，確定所述太赫茲超表面的工作頻率范圍。
7.根據權利要求6所述的熱調諧方法，其特征在于，所述太赫茲波的照射方法為垂直照射于所述太赫茲超表面的表面。
8.一種基于銻化銦薄膜的太赫茲超表面的制備方法，其特征在于，包括：
在矩形基板層上鋪設硅層；
利用光刻法在所述硅層上刻蝕出柱狀陣列結構體，得到柱陣列結構層；
在所述矩形基板層和所述柱陣列結構層的上表面鍍銻化銦，形成銻化銦薄膜，得到所述基于銻化銦薄膜的太赫茲超表面。
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述矩形基板層的厚度為6～10μm；所述柱狀陣列結構體的半徑為60～70μm，所述柱狀陣列結構體的厚度為55～65μm；所述銻化銦薄膜的厚度為110～600nm。
10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述矩形基板層的材料為聚二甲基硅氧烷。
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