[發明專利]晶片吹掃型擱架組件以及具有該組件的緩沖模塊在審
| 申請號: | 201910149400.1 | 申請日: | 2019-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN110957237A | 公開(公告)日: | 2020-04-03 |
| 發明(設計)人: | 尹俊弼;張在元 | 申請(專利權)人: | 大福自動化潔凈設備公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 鄭青松 |
| 地址: | 韓國京畿道華城*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 吹掃型擱架 組件 以及 具有 緩沖 模塊 | ||
1.一種晶片吹掃型擱架組件,其特征在于,包括:
擱架,支撐晶片容納容器;
供應噴嘴,與所述晶片容納容器的注入口連接;以及
氣體供應線,通過所述供應噴嘴將從工廠氣體設備排放的惰性氣體供應于所述晶片容納容器,
其中,所述氣體供應線包括:
比例壓力控制閥單元,以面積控制方式調節對所述晶片容納容器的所述惰性氣體的供應流量。
2.根據權利要求1所述的晶片吹掃型擱架組件,其特征在于,
所述比例壓力控制閥單元包括:
閥外殼,具有輸入端口與輸出端口;以及
壓電閥座,設置在所述閥外殼內,并且根據輸入電壓調節通過所述輸入端口的所述惰性氣體的流入面積,以控制通過所述輸出端口輸出的所述惰性氣體的流量。
3.根據權利要求2所述的晶片吹掃型擱架組件,其特征在于,
所述比例壓力控制閥單元還包括:
回位彈簧,以關閉所述輸入端口的方向加壓所述壓電閥座。
4.根據權利要求2所述的晶片吹掃型擱架組件,其特征在于,
所述比例壓力控制閥單元還包括:
壓力傳感器,測量通過所述輸出端口輸出的所述惰性氣體的壓力。
5.根據權利要求1所述的晶片吹掃型擱架組件,其特征在于,
所述氣體供應線還包括:
擱架專用調節器,設置在所述比例壓力控制閥單元的前流,只對所述比例壓力控制閥單元以均勻的壓力供應所述惰性氣體。
6.根據權利要求5所述的晶片吹掃型擱架組件,其特征在于,
所述擱架專用調節器設置在所述擱架的下側。
7.根據權利要求1所述的晶片吹掃型擱架組件,其特征在于,
所述氣體供應線還包括:
流量傳感器,設置在所述比例壓力控制閥單元與所述供應噴嘴之間,輸出經過所述比例壓力控制閥單元的所述惰性氣體的流量。
8.根據權利要求1所述的晶片吹掃型擱架組件,其特征在于,
所述氣體供應線還包括:
過濾器,設置在所述供應噴嘴的前流,并且過濾所述惰性氣體中的雜質。
9.一種晶片吹掃型擱架組件,其特征在于,包括:
擱架,安裝有晶片容納容器;
比例壓力控制閥單元,以面積控制方式調節從工廠氣體設備供應于所述晶片容納容器的惰性氣體的供應流量;以及
擱架專用調節器,位于所述比例壓力控制閥單元的前流,并且只對對應于所述擱架的所述比例壓力控制閥單元以均勻的壓力輸入所述惰性氣體。
10.根據權利要求9所述的晶片吹掃型擱架組件,其特征在于,
所述比例壓力控制閥單元,
在所述晶片容納容器安裝在所述擱架之后,隨著時間經過調整所述惰性氣體的供應流量。
11.根據權利要求9所述的晶片吹掃型擱架組件,其特征在于,
所述比例壓力控制閥單元包括:
閥外殼,具有輸入端口與輸出端口;以及
壓電閥座,設置在所述閥外殼內,根據輸入電壓調節通過所述輸入端口的所述惰性氣體的流入面積,以控制通過所述輸出端口輸出的所述惰性氣體的流量。
12.根據權利要求11所述的晶片吹掃型擱架組件,其特征在于,
所述比例壓力控制閥單元還包括:
壓力傳感器,測量通過所述輸出端口輸出的所述惰性氣體的壓力。
13.根據權利要求9所述的晶片吹掃型擱架組件,其特征在于,還包括:
流量傳感器,設置在所述比例壓力控制閥單元的后流,并且輸出經過所述比例壓力控制閥單元的所述惰性氣體的流量。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





