[發明專利]LDMOS器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201910149287.7 | 申請日： | 2019-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN109920737B | 公開（公告）日： | 2022-02-08 |
| 發明（設計）人： | 萬寧;李科;叢密芳;任建偉;李永強;宋李梅;黃苒;趙博華;蘇暢;李浩;黃振興;杜寰 | 申請（專利權）人： | 北京頓思集成電路設計有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/06;H01L29/167;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449 | 代理人： | 高青 |
| 地址： | 102600 北京市大興區經濟技術*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括
形成襯底以及位于襯底上方的外延層，所述襯底與所述外延層具有第一導電類型；
在所述外延層中的一側形成下沉區，所述下沉區至少部分接觸所述襯底，所述下沉區具有第一導電類型；
在所述外延層中形成具有第一導電類型的埋層，所述埋層覆蓋所述下沉區；
在所述外延層上方依次形成柵氧化層以及柵極；
在所述柵極下方形成彼此靠近的具有第二導電類型的漂移區和第一導電類型的溝道區；
分別在所述溝道區形成源區，在所述漂移區形成漏區，所述源區通過所述下沉區與所述襯底連接，
其中，所述埋層位于所述溝道區下方，所述埋層形成于所述柵極靠近源區的一側；
所述埋層靠近所述源區一側，所述埋層與所述柵極靠近所述源區的一側對齊。
2.根據權利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述LDMOS器件中的溝道區與所述漂移區連接的區域被所述柵極覆蓋。
3.根據權利要求2所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述溝道區和所述漂移區分別與所述柵極之間通過柵氧化層隔開。
4.根據權利要求3所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，還包括：
在所述柵氧化層 的上方以及所述柵極的兩側形成柵極側墻。
5.根據權利要求4所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，還包括：
在所述源區、所述漏區以及所述柵極上形成鈷硅化物；
在所述柵極上方的鈷硅化物表面和所述柵極側墻的外側形成連續的介質層，所述介質層覆蓋至少部分所述漂移區；以及
在所述介質層上形成金屬法拉第杯層，所述介質層將所述金屬法拉第杯層與所述柵極隔開。
6.根據權利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述溝道區與所述漂移區通過光刻進行離子注入并結合高溫推進法形成。
7.根據權利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述柵極包括多晶硅柵極，所述柵極的厚度為
8.根據權利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述埋層的摻雜濃度高于所述外延層的摻雜濃度。
9.根據權利要求8所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述埋層的摻雜濃度低于所述源區的摻雜濃度。
10.一種LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件根據權利要求 1-9任一項所述的LDMOS器件的制造方法形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
