[發(fā)明專利]一種銀/多孔金字塔硅表面增強(qiáng)拉曼基底的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910149231.1
• 申請(qǐng)日: 2019-02-28
• 公開（公告）號(hào): CN109852953A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魯穎煒;朱冬祥;程繼貴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C18/42
• 分類號(hào): C23C18/42;C23C18/18;G01N21/65
• 代理公司: 安徽省合肥新安專利代理有限責(zé)任公司 34101
• 代理人: 喬恒婷

1.一種銀/多孔金字塔硅表面增強(qiáng)拉曼基底的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

步驟1：將硅片放入RCA-1溶液中超聲清洗30min，備用；

步驟2：室溫下，將NaOH溶液加入燒杯中，對(duì)經(jīng)步驟1清洗后的硅片在一定溫度下進(jìn)行化學(xué)拋光；

步驟3：將NaOH溶液和異丙醇依次加入到燒杯中，對(duì)經(jīng)步驟2化學(xué)拋光處理后的硅片在一定溫度下進(jìn)行刻蝕，隨后使用去離子水清洗，備用；

步驟4：將步驟3刻蝕后的硅片依次浸入HF/AgNO₃混合溶液和HF/H₂O₂混合溶液中，隨后使用濃硝酸浸泡、去離子水清洗，得到多孔金字塔硅；

步驟5：將多孔金字塔硅浸入HF/AgNO₃混合溶液中反應(yīng)一定時(shí)間后清洗、干燥，即可得到銀/多孔金字塔硅表面增強(qiáng)拉曼基底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：

所述硅片為P型、低電阻率單晶硅片，電阻率為0.0015Ω.cm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：

步驟1中，所述RCA-1溶液是由28％的NH₄OH溶液、30％的H₂O₂溶液和水按體積比1:1:5的比例混合構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：

步驟2中，所述NaOH溶液的濃度為8.91M。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：

步驟2中，化學(xué)拋光的溫度為85℃，化學(xué)拋光的時(shí)間為3min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：

步驟3中，所述NaOH溶液的濃度為0.64M；NaOH溶液和IPA以體積比16:1混合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：

步驟3中，刻蝕溫度為80-90℃，刻蝕時(shí)間為15-30min。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：

步驟4中，所述HF/AgNO₃混合溶液中HF和AgNO₃的濃度分別為4.6M和5mM，浸入HF/AgNO₃混合溶液中的反應(yīng)時(shí)間為3min；所述HF/H₂O₂混合溶液中HF和H₂O₂的濃度分別為4.6M和0.1-0.2M，浸入HF/H₂O₂混合溶液中得反應(yīng)時(shí)間為3-10min。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：

步驟5中，所述HF/AgNO₃混合溶液中HF和AgNO₃的濃度分別為0.5M和0.5-1.25mM，反應(yīng)時(shí)間為0.5-10min。