[發明專利]聲表面波器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201910148647.1
• 申請日: 2019-02-28
• 公開（公告）號: CN111628748B
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發明（設計）人: 蘇佳樂;夏長奉;周國平;張新偉
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H03H9/145
• 分類號: H03H9/145;H01L41/332;H01L41/29
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種聲表面波器件制備方法，其特征在于，包括：

在半導體基底上形成溝槽陣列；

熱退火使所述溝槽陣列變形后相互連通形成一空腔，且所述半導體基底在所述空腔上方連接起來，將所述空腔封閉；及

在所述空腔上方的半導體基底上形成壓電薄膜，并形成與所述壓電薄膜連接的金屬電極，所述壓電薄膜包括壓電材料；所述壓電薄膜形成至少一個叉指換能結構，各所述叉指換能結構包括第一叉指結構和第二叉指結構，所述第一叉指結構包括第一公共端以及自所述第一公共端向同一側延伸形成的多個第一叉指條，所述第二叉指結構具有第二公共端以及自所述第二公共端向同一側延伸形成的多個第二叉指條，所述第一叉指條和所述第二叉指條交錯且間隔設置，各所述第一叉指結構和各所述第二叉指結構上均形成有所述金屬電極。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述溝槽的寬度范圍為0.6μm～1μm，所述溝槽的深度范圍為1μm～10μm，相鄰溝槽之間的間隔范圍為0.6μm～1μm。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述熱退火為在氫氣環境中熱退火，所述熱退火的溫度為1000℃。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述溝槽陣列中最外圍溝槽之間的間距大于中間溝槽的間距。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述空腔上方的半導體基底厚度范圍為1μm～2μm。

6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括：

對所述半導體基底進行晶圓級鍵合封裝，以將所述壓電薄膜和所述金屬電極封裝在內。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述半導體基底為硅片。

8.一種聲表面波器件，其特征在于，包括：

半導體基底，所述半導體基底內部形成有一封閉空腔；

壓電薄膜與金屬電極，所述壓電薄膜形成于所述空腔上方的半導體基底上，所述壓電薄膜包括壓電材料，所述金屬電極與所述壓電薄膜連接；所述壓電薄膜形成至少一個叉指換能結構，各所述叉指換能結構包括第一叉指結構和第二叉指結構，所述第一叉指結構包括第一公共端以及自所述第一公共端向同一側延伸形成的多個第一叉指條，所述第二叉指結構具有第二公共端以及自所述第二公共端向同一側延伸形成的多個第二叉指條，所述第一叉指條和所述第二叉指條交錯且間隔設置，各所述第一叉指結構和各所述第二叉指結構上均形成有所述金屬電極。

9.如權利要求8所述的聲表面波器件，其特征在于，所述壓電薄膜形成至少一個叉指換能結構。