[發明專利]一種有機半導體陣列晶體的制備方法

有效

• 申請號: 201910147496.8
• 申請日: 2019-02-27
• 公開（公告）號: CN109841737B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 揭建勝;張秀娟;趙萬芹;鄧巍
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40
• 代理公司: 北京智匯東方知識產權代理事務所(普通合伙) 11391
• 代理人: 薛峰;康正德

1.一種有機半導體陣列晶體的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基底上施加聚合物絕緣層；

在施加有所述聚合物絕緣層的所述基底上進行光刻，從而獲得帶有陣列式排布的周期性圖形的基底，所述周期性圖形為多個周期性排列排布的溝道；

將光刻后的所述基底進行反應離子刻蝕并去膠，從而獲得強極性表面與弱極性表面周期性排布的模板，利用所述反應離子刻蝕的方法部分刻蝕掉所述聚合物絕緣層上沒有光刻膠保護的部分，所述模板中的所述聚合物絕緣層表面具有強極性/弱極性的表面區域；

將預先配置的有機小分子半導體溶液施加在所述模板上；

將施加有所述有機小分子半導體溶液的所述模板放置在刮涂工具下，并按照預設速度進行刮涂，從而獲得有機半導體陣列晶體，由于強極性區與有機小分子半導體材料相比于弱極性區具有更強的相互作用力，使得小分子晶體優先在強極性區成核并結晶生長；

所述在施加有所述聚合物絕緣層的所述基底上進行光刻，從而獲得帶有陣列式排布的周期性圖形的基底，包括如下步驟：

在施加有所述聚合物絕緣層的所述基底上施加光刻膠，并烘膠；

在所述光刻膠上放置掩膜版，所述掩膜版具有陣列式排布的周期性圖形；

顯影獲得帶有所述周期性圖形的基底。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述基底上施加聚合物絕緣層，包括如下步驟：

將聚合物絕緣層的前驅體溶液以預設速度施加在所述基底上；

將施加有所述前驅體溶液的基底在100-200℃下烘烤0.5-3h，從而在所述基底上交聯所述聚合物絕緣層。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述聚合物絕緣層的材料為聚乙烯苯酚。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述聚合物絕緣層的前驅體溶液為聚乙烯苯酚、交聯劑和溶劑的混合溶液；

所述交聯劑為甲基化聚(三聚氰胺-co-甲醛)或六甲氧基甲基三聚氰胺，所述溶劑為丙二醇甲醚醋酸酯或對甲苯磺酸。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述反應離子刻蝕的條件為：在20-80sccm的氧等離子體下刻蝕2-20s。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述有機小分子半導體溶液為有機半導體小分子材料與揮發性有機溶劑的混合溶液。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述有機半導體小分子材料為烷基鏈取代的二苯并二噻吩系列化合物、并五苯系列材料和含蒽并二噻吩的有機半導體小分子材料。

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述揮發性有機溶劑為甲苯、均三甲苯或間二甲苯。

9.根據權利要求1-5、7和8中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述基底為軟質基底。