[發(fā)明專利]碳化硅肖特基二極管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910147139.1
• 申請日: 2019-02-27
• 公開（公告）號: CN111628008A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設計）人: 甘新慧;蔣正勇;朱家從;計建新;盛況;郭清
• 申請（專利權）人: 無錫華潤微電子有限公司;浙江大學
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種碳化硅肖特基二極管，包括有源區(qū)和有源區(qū)外圍的終端區(qū)，所述有源區(qū)包括摻雜區(qū)和未設置所述摻雜區(qū)的肖特基區(qū)，所述摻雜區(qū)的導電類型與所述有源區(qū)的襯底的導電類型相反，其特征在于，所述有源區(qū)被劃分為有源區(qū)中心區(qū)域和所述有源區(qū)中心區(qū)域外圍的有源區(qū)邊緣區(qū)域，所述有源區(qū)中心區(qū)域和所述有源區(qū)邊緣區(qū)域均設置有所述摻雜區(qū)和肖特基區(qū)，所述有源區(qū)邊緣區(qū)域的S值比所述有源區(qū)中心區(qū)域的S值大，所述S值為所述肖特基區(qū)的面積與所述摻雜區(qū)的面積的比值，所述有源區(qū)邊緣區(qū)域的面積占有源區(qū)總面積的40％-80％。

2.根據權利要求1所述的碳化硅肖特基二極管，其特征在于，所述有源區(qū)邊緣區(qū)域由外到內包括至少兩個子區(qū)，且更外部的子區(qū)S值比更內部的子區(qū)S值要大。

3.根據權利要求1所述的碳化硅肖特基二極管，其特征在于，所述有源區(qū)中心區(qū)域由外到內包括至少兩個子區(qū)，且更外部的子區(qū)S值比更內部的子區(qū)S值要大。

4.根據權利要求2或3所述的碳化硅肖特基二極管，其特征在于，所述有源區(qū)邊緣區(qū)域和所述有源區(qū)中心區(qū)域均由外到內包括至少兩個子區(qū)，且所有子區(qū)的S值由外部向內部依次遞減。

5.根據權利要求1所述的碳化硅肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基區(qū)從背面到正面依次包括背面金屬、所述襯底、正面金屬，所述正面金屬與襯底正面形成肖特基接觸。

6.根據權利要求1所述的碳化硅肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基區(qū)從背面到正面依次包括背面金屬、所述襯底、外延層、正面金屬，所述外延層的導電類型與所述摻雜區(qū)的導電類型相反，所述正面金屬與外延層正面形成肖特基接觸。

7.根據權利要求1所述的碳化硅肖特基二極管，其特征在于，所述有源區(qū)邊緣區(qū)域的S值為2.5-5。

8.根據權利要求1所述的碳化硅肖特基二極管，其特征在于，所述有源區(qū)中心區(qū)域的S值為1-2.5。

9.根據權利要求1所述的碳化硅肖特基二極管，其特征在于，所述摻雜區(qū)為P型重摻雜注入區(qū)。

10.根據權利要求1所述的碳化硅肖特基二極管，其特征在于，所述有源區(qū)的圖形為條柵形。